PředmětyPředměty(verze: 953)
Předmět, akademický rok 2023/2024
   Přihlásit přes CAS
Fyzika polovodičů pro optoelektroniku II - NOOE008
Anglický název: Semiconductor Physics for Optoelectronics II
Zajišťuje: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
Fakulta: Matematicko-fyzikální fakulta
Platnost: od 2020
Semestr: letní
E-Kredity: 3
Rozsah, examinace: letní s.:2/0, Zk [HT]
Počet míst: neomezen
Minimální obsazenost: neomezen
4EU+: ne
Virtuální mobilita / počet míst pro virtuální mobilitu: ne
Stav předmětu: vyučován
Jazyk výuky: čeština
Způsob výuky: prezenční
Způsob výuky: prezenční
Garant: RNDr. Martin Veis, Ph.D.
RNDr. Milan Orlita, Ph.D.
Kategorizace předmětu: Fyzika > Optika a optoelektronika
Anotace -
Základní optické vlastnosti polovodičů, mechanismy optické absorpce a emise. Fotoelektrické jevy. Detekce světla, parametry detektorů. Generace světla, luminiscence, mechanismy zářivé rekombinace. Integrovaná optika. Experimentální metody.
Poslední úprava: T_FUUK (07.05.2003)
Podmínky zakončení předmětu -

ústní zkouška

Poslední úprava: Veis Martin, RNDr., Ph.D. (07.06.2019)
Literatura

[1] H.Frank: Fyzika a technika polovodičů. SNTL Praha 1990

[2] Teorie pevných látek. ČSAV Praha 1965.

[3] T.S.Moss, G.J.Burrel,B.Ellis: Semiconductor Opto-

Electronics. Překlad Mir, Moskva, 1976

[4] K.Seeger: Semiconductor Physics: Springer Verlag Berlin 1989

[5] M.A.Herrman: Semiconductor Superlattices. Akademie-Verlag

Berlin 1986.

[6] J.Toušek: Fotoelektrické jevy v polovodičích.

SPN Praha 1977.

[7] J.Toušek: Polovodičové prvky III. Karolinum, Praha 1993.

[8] B.E.A.Saleh a M.C.Teich: Základy fotoniky, sv. 1 - 4.

Matfyzpress Praha 1995.

Poslední úprava: T_FUUK (29.04.2004)
Požadavky ke zkoušce -

znalost probírané látky na přednáškách

Poslední úprava: Veis Martin, RNDr., Ph.D. (07.06.2019)
Sylabus -
1. Optické konstanty
Elektromagnetické vlny. Definice optických konstant.

Dispersní relace a obecné vlastnosti optických konstant.

2. Optické vlastnosti polovodičů a iontových krystalů
Kvantová teorie optických přechodů. Mezipásové přechody.

Dovolené a zakázané, přímé a nepřímé přechody.

Exciton. Příměsová absorpce. Reflexe v oblasti kmitů

mříže. Polariton. Model volných elektronů. Plazmová

hrana.

3. Fotoelektrické jevy v polovodičích
Klasifikace. Mezipásová a Augerova rekombinace.

Extrinsická generace a rekombinace, vliv pastí.

Fotovodivost při nehomogenní excitaci, difuse, rovnice

kontinuity. Fotovoltaický jev. Povrchové stavy, povrchová

vodivost a rekombinace. Sluneční cely a fotodetektory.

4. Generace světla, luminiscence
Tepelné záření. Mechanismy zářivé a nezářivé rekombinace.

Metody excitace. Mezipásová rekombinace, volné excitony,

excitonové molekuly a kapky. Stimulovaná emise při vysoké

úrovni excitace. Luminiscenční diody a polovodičové

lasery.

Poslední úprava: T_FUUK (29.04.2004)
 
Univerzita Karlova | Informační systém UK