Elektronika pevných látek - NEVF002

• Anglický název: Solid State Electronics
• Zajišťuje: Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP)
• Fakulta: Matematicko-fyzikální fakulta
• Platnost: od 2007
• Semestr: zimní
• E-Kredity: 3
• Rozsah, examinace: zimní s.:2/0, Zk [HT]
• Počet míst: neomezen
• Minimální obsazenost: neomezen
• 4EU+: ne
• Virtuální mobilita / počet míst pro virtuální mobilitu: ne
• Stav předmětu: zrušen
• Jazyk výuky: čeština
• Způsob výuky: prezenční
• Garant: doc. RNDr. Václav Nehasil, Dr.
• Třída: Fyzika
• Kategorizace předmětu: Fyzika > Fyzika povrchů a ionisovaných prostředí
• Je korekvizitou pro: NEVF035

Anotace

čeština

Základní informace o geometrické a elektronické struktuře pevných látek (PL) se zaměřením na tenké vrstvy a povrchy. Principy a přehled metod výzkumu PL. Výstupní práce. Povrchové elektronické jevy. Objemové elektrické vlastnosti PL. Rozhraní dvou PL. Polovodičové součástky.

Poslední úprava: T_KEVF (16.05.2002)

angličtina

Geometric and electronic structure of solid states - base information. Methods and principles of solid state research. Work function. Surface electronics effects. Bulk electronics behaviour of solid states. Interface between two solid states. Semiconductor devices.

Poslední úprava: T_KEVF (16.05.2002)

Literatura

L. Eckertová a kol.: Fyzikální elektronika pevných látek, Karolinum, Praha 1992

Poslední úprava: Zakouřil Pavel, RNDr., Ph.D. (05.08.2002)

Sylabus

1) Význam struktury PL pro jejich elektronické vlastnosti. Modifikace struktury při přechodu k povrchu a z ní vyplývající změny vlastností, reálný povrch. Zvláštnosti struktury tenkých vrstev (spojitých a nespojitých) a z toho vyplývající elektronické vlastnosti, rozměrové jevy, ostrůvkovité vrstvy.

2) Výstupní práce průměrná a lokální, definice, význam. Principy metod jejího měření.

3) Povrchové elektronické jevy. Emise elektronů - termoemise, fotoemise, sekundární emise, tunelová emise - fyzikální základy a hlavní aplikace. Emise neutrálních částic a iontů.

4) Objemové elektronické vlastnosti PL: vodivost, její závislost na teplotě, osvětlení, elektrickém a magnetickém poli atd. Aplikace v elektronických prvcích (termistory, fotoodpory, Hallovy sondy atd.).

5) Rozhraní dvou PL, kontaktní jevy. Rozhraní kov-kov, kov-polovodič, polovodič-polovodič (P-N přechod), kov-dielektrikum, polovodič-dielektrikum. Rovnovážný stav a procesy při průchodu proudu, rovnovážné koncentrace a vstřikování. Rekombinace přímá a nepřímá.

6)Principy elektronických prvků, zejména polovodičových. Zásady integrace. Optoelektronické prvky a principy integrované optiky.

Poslední úprava: T_KEVF (16.05.2002)