|
|
|
||
Poslední úprava: ()
|
|
||
Poslední úprava: MORAVEC/MFF.CUNI.CZ (16.05.2008)
Seznámit studenty s fyzikálními základy polovodičových struktur přechod P-N, kov-polovodič, kov-izolátor-polovodič, heterogenních přechodů a optoelektronických prvků založených na těchto strukturách. |
|
||
Poslední úprava: doc. RNDr. Pavel Moravec, CSc. (02.11.2017)
Podmínkou zakončení předmětu je získání zápočtu a úspěšné složení zkoušky. Pro udělení zápočtu je nezbytná pravidelná docházka a aktivita na cvičeních. Zápočet je nutnou podmínkou účasti u zkoušky. |
|
||
Poslední úprava: MORAVEC/MFF.CUNI.CZ (16.05.2008)
S.M. Sze: Physics of Semiconductor Devices, 2nd edition, J. Wiley, New York 1981 S.M. Sze: Semiconductor Devices ? Physics and Technology, J. Wiley, New York 1985 J. Wilson, J.F.B. Hawkes: Lasers ? Principles and Applications, Prentice-Hall, New York 1987 J.P. Colinge, C.A. Colinge: Physics of Semiconductor Devices, Kluwer, Boston 2002 H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL, Praha 1990 J. Toušek: Polovodičové prvky III., UK, Praha 1993 |
|
||
Poslední úprava: doc. RNDr. Pavel Moravec, CSc. (05.11.2019)
přednáška + cvičení |
|
||
Poslední úprava: doc. RNDr. Pavel Moravec, CSc. (02.11.2017)
Pro konání zkoušky je nutné předchozí získání zápočtu.
Zkouška sestává z ústní části. Požadavky zkoušky odpovídají sylabu předmětu v rozsahu, který byl prezentován na přednášce. |
|
||
Poslední úprava: T_FUUK (15.05.2002)
Ideální charakteristika přechodu P-N. Reálná charakteristika přechodu P- N v propustném a závěrném směru (typy průrazu). 2. Schottkyho kontakt. Schottkyho efekt, základní přístupy k transportu nábojů (volt-ampérová charakteristika a kapacita Schottkyho diod). 3. Struktura MIS. Kapacita ideální a reálné struktury MIS. 4. Heterogenní přechody (HP). Izotypové a anizotypové HP, pásové diagramy, transport náboje. Dvojrozměrný elektronový plyn, superstruktury. 5. Fotovoltaické jevy. Přechod P-N ozářený rovnoběžně a kolmo k rovině přechodu. Ozářený Schottkyho kontakt. Solární cely. 6. Polovodičové zdroje optického záření. Elektroluminiscenční vrstvy, luminiscenční diody: materiály, účinnost, setrvačnost. Polovodičové lasery: spektrální charakteristika, optická zpětná vazba, výpočet základních parametrů, konstrukce. Heterogenní lasery, lasery pro optické komunikace, degradace. 7. Polovodičové detektory. Charakteristické parametry, faktory ovlivňující detektivitu. Metody detekce záření. Fotoodpory (poměr signál-šum, druhy fotoodporů). Fotodiody a diody PIN, lavinové fotodiody (režim činnosti, setrvačnost, poměr signál-šum). Schottkyho dioda. Fototranzistor. Využití struktur s proměnnou šířkou zakázaného pásu a se supermřížkami pro detekci záření. 8. Polovodičové snímací elektronky Vidikon, plumbikon. Detektor SPRITE. Struktury CCD s přenosem náboje. |