PředmětyPředměty(verze: 945)
Předmět, akademický rok 2023/2024
   Přihlásit přes CAS
Fyzika nízkodimenzionálních struktur - NEVF534
Anglický název: Physics of Low-dimensional Structures
Zajišťuje: Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP)
Fakulta: Matematicko-fyzikální fakulta
Platnost: od 2011
Semestr: oba
E-Kredity: 3
Rozsah, examinace: 2/0, Zk [HT]
Počet míst: neomezen
Minimální obsazenost: neomezen
4EU+: ne
Virtuální mobilita / počet míst pro virtuální mobilitu: ne
Stav předmětu: vyučován
Jazyk výuky: čeština, angličtina
Způsob výuky: prezenční
Způsob výuky: prezenční
Poznámka: předmět lze zapsat v ZS i LS
Garant: prof. Tomáš Jungwirth, Ph.D.
Ing. Pavel Středa, DrSc.
Anotace -
Poslední úprava: T_KEVF (24.05.2007)
Úvodní přednáška o elektronové struktuře a transportu ve strukturách od makrosko-pických rozměrů k rozměrům blížícím se meziatomovým vzdálenostem v krystalech pevných látek. Přednáška má spíše teoretické zaměření, ale bude obsahovat i výklady v technologických a experimentálních laboratořích pro výzkum nanoelektroniky. Některá témata jsou rozvedena podrobněji ve výběrových přednáškách.
Podmínky zakončení předmětu
Poslední úprava: doc. RNDr. Jiří Pavlů, Ph.D. (14.06.2019)

Podmínkou zakončení předmětu je úspěšné složení zkoušky.

Literatura -
Poslední úprava: T_KEVF (11.05.2010)

M. P. Marder, Condensed Matter Physics, J. Wiley 2000

B. I. Shklovskii, A. L. Efros, Springer 1984

S. Datta, Electronic Transport in Mesoscopic Systems, Cambridge Univ. Press 1995

G. D. Mahan, Many-Particle Physics, Kluwer Academic 2000

P.Y. Yu, M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Springer 1994

S. L. Chuang, Physics of optoelectronic devices, J. Wiley 1995

D. Bimberg et al., Quantum Dot Heterostructures, J. Wiley 1999

C. Delerue, M. Lannoo, Nanostructures, theory and modeling, Springer 2004

D. J. Mills and J.A.C. Bland (eds), Nanomagnetism, Elsevier 2006

M. Grundmann, Nano-optoelectronics, Springer 2002

Požadavky ke zkoušce
Poslední úprava: doc. RNDr. Jiří Pavlů, Ph.D. (14.06.2019)

Předmět je zakončen zkouškou. Zkouška probíhá ústní formou. Požadavky ke zkoušce odpovídají sylabu v rozsahu, který byl prezentován na přednášce.

Sylabus -
Poslední úprava: T_KEVF (24.05.2007)
1) Základní teoretické nástroje studia elektronového transportu.
Výpočty pásových struktur třírozmérných a nízkorozměrných systémů, Boltzmannova, Kubova a Landauerova teorie transportu.

2) Základní experimenální nástroje.
Růst krystalů po atomových vrstvách (MBE), příprava nanostruktur a kontaktů (elektronová litografie), měření stejnosměrné a střídavé vodivosti.

3) Přechod izolátor-kov.
Mottův přechod (elektron-elektronové interakce), Andersonův přechod (nečistoty), přechod v extrinsickém polovodiči, slabá lokalizace, podélná a příčná vodivost.

4) Normální a kvantový Hallův jev v dojrozměrných systémech.
5) Extraordinerní magnetoresistence.
Anomální Hallův jev, anisotropní magnetoresistence, gigantická magnetoresistence a spinovým prodem indukovaná změna magnetizace ve feromagnetických vodičích, spinový Hallův jev.

6) Elektronový transport v mikro a nanosytémech.
Kvantová vodivost v jednorozměrném drátu, Aharonův-Bohmův jev, univerzální fluktuace vodivosti, Coulombovská a magneto-Coulombovská blokáda v jednoelektronových transistorech

 
Univerzita Karlova | Informační systém UK