Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Název práce v češtině: | Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe |
---|---|
Název v anglickém jazyce: | Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe |
Klíčová slova: | CdTe, CdZnTe, polovodičové detektory Rentgenova a gama záření, polarizace v detektoru, hluboké energetické hladiny, kontaktní kovy, Pockelsův jev |
Klíčová slova anglicky: | CdTe, CdZnTe, semiconductor X-ray and gamma-ray detectors, polarization in detector, deep energy levels, contact metals, Pockels effect |
Akademický rok vypsání: | 2009/2010 |
Typ práce: | disertační práce |
Jazyk práce: | angličtina |
Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
Vedoucí / školitel: | prof. Ing. Jan Franc, DrSc. |
Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
Datum přihlášení: | 29.09.2009 |
Datum zadání: | 29.09.2009 |
Datum a čas obhajoby: | 25.06.2014 09:00 |
Datum odevzdání elektronické podoby: | 27.03.2014 |
Datum odevzdání tištěné podoby: | 27.03.2014 |
Datum proběhlé obhajoby: | 25.06.2014 |
Oponenti: | Ing. Jiří Oswald, CSc. |
doc. Ing. Ivan Štekl, CSc. | |
Konzultanti: | prof. RNDr. Roman Grill, CSc. |