Recombination centers in semiinsulating CdTe
| Název práce v češtině: | Centra rekombinace v semiizolačním CdTe |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Recombination centers in semiinsulating CdTe |
| Klíčová slova: | CdTe, rekombinace, fotovodivost, fotoluminiscence |
| Klíčová slova anglicky: | CdTe, recombination, photoconductivity, photoluminescence |
| Akademický rok vypsání: | 2013/2014 |
| Typ práce: | rigorózní práce |
| Jazyk práce: | angličtina |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 03.04.2014 |
| Datum zadání: | 03.04.2014 |
| Datum potvrzení stud. oddělením: | 03.04.2014 |
| Datum a čas obhajoby: | 15.04.2014 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 03.04.2014 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 03.04.2014 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 15.04.2014 |
| Zásady pro vypracování |
| 1. Navrhnout a realizovat úpravu zařízení pro měření elektrického odporu a fotovodivosti bezkontaktní metodou
pro aplikaci vyšších napětí 2. Provést mapování elektrického odporu a fotovodivosti semiizolačních krystalů CdTe bezkontaktní metodou 3. Analyzovat závislost měřených veličin na napětí. 4. Analyzovat oblasti s různou mírou rekombinace měřením luminiscence a spektroskopie hlubokých hladin a určit korelaci mezi jednotlivými měřeními 5. Stanovit faktory ovlivňující míru rekombinace v semiizolačním CdTe |
| Seznam odborné literatury |
| 1. C.Szeles, Physica Status Solidi B 241 (2004) 783
2.T.E.Schlesinger et al., Materials Science Eng.R 32 (2001) 3.G.F.Knoll, Radiation detection and Measurement, John Wiley and Sons, (2000) |