Vliv přípravy povrchu na fotovodivost

• Název práce v češtině: Vliv přípravy povrchu na fotovodivost
• Název v anglickém jazyce: Surface preparation impact on photoconductivity
• Akademický rok vypsání: 2016/2017
• Typ práce: projekt
• Jazyk práce: čeština
• Ústav: Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
• Vedoucí / školitel: prof. Ing. Jan Franc, DrSc.

Zásady pro vypracování

Zásady pro vypracování:
1. Prostudovat literaturu o bezkontaktním měření odporu a fotovodivosti.
2. Seznámit se s aparaturou COREMA a Zygo.
3. Naměřit profil povrchu připravených vzorků CdTe.
4. Naměřit odpor a fotovodivost pomocí zdroje světla o dvou vlnových délkách
5. Vyhodnotit výsledky v závislosti na připraveném povrchu.

Seznam odborné literatury

1. R. Stibal, J. Windscheif, W. Jantz, Contactless evaluation of semiinsulating GaAs wafer resistivity using time-dependent charge measurements, Semicond. Sci. Technol. 6, 995 (1991).
2. D.K.Schroeder, Semiconductor Material and device characterization, John Wiley and Sons, New York, 1998, p.1-55
3. J. Crocco, H. Bensalah, Q. Zheng, F. Dierre, P. Hidalgo, J. Carrascal, O. Vela, J. Piqueras, and E. Dieguéz, Study ot the Effects of Edge Morphology on Detector Performance by Leakage Current and Cathodoluminescence, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 50, No. 4, 2011, p. 1935-1941

Předběžná náplň práce

Bezkontaktní metoda COREMA nabízí způsob, jak rychle zjistit rozložení odporu polovodičových materiálů jako CdTe, GaAs používaných k výrobě detektorů rentgenového a gama záření. Detektory jsou obecně charakterizovány elekto-optickými měřeními jako je fotovodivost nebo TEES. K tomu ale musí být vzorky okontaktovány. Studie poukazují na závislost kvality detektorových materiálů na přípravě povrchu. Bezkontaktní charakterizace nabízí nové možnosti studií vlastností opracování materiálu před finalizací detektorů.
Cílem projektu je stanovení závislosti bezkontaktní fotovodivosti se zdrojem světla na dvou vlnových délkách na přípravě povrchu vzorků CdTe.