Dynamics of structural defects in CdTe-based semiconductors
| Název práce v češtině: | Dynamika strukturních defektů v polovodičích CdTe |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Dynamics of structural defects in CdTe-based semiconductors |
| Klíčová slova: | CdTe, žíhání, inkluze, detektor, defekty |
| Klíčová slova anglicky: | CdTe, annealing, inclusions, detector, defects |
| Akademický rok vypsání: | 2007/2008 |
| Typ práce: | disertační práce |
| Jazyk práce: | angličtina |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | doc. Ing. Eduard Belas, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 12.11.2007 |
| Datum zadání: | 12.11.2007 |
| Datum a čas obhajoby: | 23.09.2011 09:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 14.06.2011 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 14.06.2011 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 23.09.2011 |
| Oponenti: | prof. RNDr. Václav Holý, CSc. |
| Prof. Petro Fochuk, DrSc. | |
| Konzultanti: | prof. RNDr. Roman Grill, CSc. |
| Seznam odborné literatury |
| 1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2 3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2 4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7 5. Odborné články týkající se dané problematiky |
| Předběžná náplň práce |
| Polovodivé materiály na bázi CdTe představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření a rovněž jako podložka pro epitaxní růst (HgCd)Te používaného pro detekci infračerveného záření. Pro přípravu materiálu s předem definovanými elektrickými a optickými vlastnostmi je zásadní identifikace jednotlivých strukturních defektů a jejich komplexů zejména ve vztahu k technologii růstu monokrystalu, případně k podmínkám žíhání. Cílem práce bude studium chování strukturních defektů při růstu krystalů nebo následně při jejich žíhání v parách teluru nebo kadmia. Výsledky budou použity k optimalizaci podmínek přípravu materiálu s nízkou koncentraci těchto defektů. |