V poslední době probíhá intenzivní výzkum polovodičových nanostruktur a zejména krátkoperiodických supermřížek s cílem vytvořit účinný termoelektrický prvek. Účinnost termoelektrického pvrvku je vyjádřena parametrem "thermoelectric figure of merit" (TFM), v němž jsou obsaženy koeficienty tepelné a elektrické vodivosti a Seebeckův koeficient. Zdá se, že hodnota TFM v nanostrukturách je mnohem větší než v bulkovém materiálu. Tepelná i elektrická vodivost supermřížky je podstatně ovlivněna přítomností dislokací, které působí jako rozptylová centra pro fonony a nosiče náboje. Cílem práce je určení hustoty a typu dislokací v supermřížkách GeSi/Ge pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením. Difrakční data budou vyhodnocena vhodným strukturním modelem.
Práce je vhodná pro studenty/studentky s dobrými znalostmi fyziky pevných látek, rtg difrakce a metod zpracování. Práce zahrnuje měření na laboratorním difraktometru a na synchrotronu (ESRF,HASYLAB), numerické zpracování naměřených dat a nafitování na simulovaná data
Seznam odborné literatury
Pietsch U., Holý V. and Baumbach T., High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films to Lateral Nanostructures, Advanced Texts in Physics, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York 2004.
Mildred S. Dresselhaus, Gang Chen, Ming Y. Tang, Ronggui Yang, Hohyun Lee, Dezhi Wang, Zhifeng Ren, Jean-Pierre Fleurial,
and Pawan Gogna, New Directions for Low-Dimensional Thermoelectric Materials, Adv. Mater. 19, 1043–1053 (2007).
Předběžná náplň práce
Rtg difrakce na supermřížkách GeSi/Ge s cílem určit hustotu dislokací, tyto materiály mají široké použití jako termoelektrické elementy
Předběžná náplň práce v anglickém jazyce
X-ray diffraction from GeSi/Ge supperlatices for the determination of density of dislocations; the superlattices can be used as thermoelectric elements.
