Teoretické výpočty stability a elektronové struktury povrchů Si
| Název práce v češtině: | Teoretické výpočty stability a elektronové struktury povrchů Si |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Theoretical calculation of stability and electronic structure of Si surfaces |
| Klíčová slova: | Ab-initio, teorie funkcionálu hustoty, rekonstrukce povrchů, STM |
| Klíčová slova anglicky: | Ab-initio, density functional theory, surface reconstruction, STM |
| Akademický rok vypsání: | 2010/2011 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
| Vedoucí / školitel: | doc. RNDr. Pavel Kocán, Ph.D. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 19.10.2010 |
| Datum zadání: | 19.10.2010 |
| Datum a čas obhajoby: | 13.09.2011 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 04.08.2011 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 05.08.2011 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 13.09.2011 |
| Oponenti: | RNDr. Lucie Szabová, Ph.D. |
| Konzultanti: | doc. Ing. Pavel Jelínek, Ph.D. |
| Zásady pro vypracování |
| 1) Osvojení si problematiky výpočtů atomární a elektronové struktury pomocí metody funkcionálu hustoty.
2) Práce s výpočetním programem Fireball pro výpočty elektronové a atomární struktury molekul a pevných látek. 3) Studium vybraných rekonstrukcí povrchů Si(100) a Si(111) - výpočet elektronové a atomární struktury, posouzení stability testovaných modelů 4) Určení vlivu vybraného adsorbátu na elektronovou strukturu povrchu Si. |
| Seznam odborné literatury |
| 1. I. Nezbeda, J. Kolafa, M. Kotrla, Úvod do počítačových simulací: Metody Monte Carlo a molekulární dynamiky, Karolinum 2003
2. W.Koch, M.C. Holthausen, A Chemist's Guide to Density Functional Theory, Wiley-VCH (2002), ISBN 3-527-30422-3 3. Solid State Physics G. Grosso, G. P. Parravicini Academic Press (14 Feb 2000) ISBN-10: 012304460X |
| Předběžná náplň práce |
| Orientované povrchy Si(100) a Si(111) jsou hojně studovány jako substráty pro růst dobře definovaných nanostruktur. Studium je motivováno možností technického využití modifikovaných povrchů s novými elektronickými vlastnostmi, které by byly slučitelné se stávající křemíkovou technologií. Využití počítačové simulace na bázi funkcionálu hustoty umožňuje podrobnou analýzu takových povrchů.
http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=132 |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| Oriented surfaces Si(100) and Si(111) are widely used as substrates for growth of well defined nanostructures. The study is motivated by possibility of technological use of modified surfaces with novel electronic properties consistent with recent silicon technology. Use of computer simulation based on density functional theory allows detailed analysis of these surfaces.
http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=132 |