Poruchy limitující sběr náboje v semiizolačním CdZnTe
| Název práce v češtině: | Poruchy limitující sběr náboje v semiizolačním CdZnTe |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Defects limiting charge collection in semiinsulated CdZnTe |
| Klíčová slova: | CdZnTe, měrný odpor, fotovodivost, obsazení hlubokých hladin, fotoluminiscence |
| Klíčová slova anglicky: | CdZnTe, Resistivity, Photoconductivity, Deep level occupation, Photoluminescence |
| Akademický rok vypsání: | 2009/2010 |
| Typ práce: | diplomová práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | prof. Ing. Jan Franc, DrSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 27.10.2009 |
| Datum zadání: | 27.10.2009 |
| Datum a čas obhajoby: | 21.09.2011 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 05.08.2011 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 05.08.2011 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 21.09.2011 |
| Oponenti: | Prof. RNDr. Josef Šikula, DrSc. |
| Konzultanti: | doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc. |
| Zásady pro vypracování |
| 1. Provést mapování elektrického odporu a fotovodivosti semiizolačního krystalu CdZnTe bezkontaktní metodou
2. Na základě analýzy rozložení fotovodivosti připravit soubor vzorků 3.Provést měření nízkoteplotní fotoluminiscemce, fotovodivosti (kontaktní metoda), spektroskopie hlubokých hladin a součinu pohyblivosti a doby života nosičů 4. Analyzovat korelaci mezi jednotlivými měřeními 5. Vypracovat model defektní struktury a stanovit poruchy limitující sběr náboje v detektorech CdZnTe |
| Seznam odborné literatury |
| 1. C.Szeles, Physica Status Solidi B 241 (2004) 783
2.T.E.Schlesinger et al., Materials Science Eng.R 32 (2001) 3.G.F.Knoll, Radiation detection and Measurement, John Wiley and Sons, (2000) |