1. Studium literatury
2. Seznámení se s metodou finite-element method a s dostupným software
3. Výpočet deformačního pole pro různé tvarz kvantových teček
4. Srovnání s analytickým výpočtem
Seznam odborné literatury
podle pokynů vedoucího práce
Předběžná náplň práce
Deformační pole v kvantových tečkách na povrchu polovodičového krystalu a v jeho objemu podstatně ovlivňuje lokální stavy nábojových nositelů a tím i elektrické a optické vlastnosti teček. Cílem práce je porovnat výsledky různých metod výpočtu deformačního pole, zejména finite-element method založené na numerickém řešení rovnic rovnováhy v makroskopické teorii elasticity, analytickou metodu řešení těchto rovnic a atomistické výpočty založené na metodě efektivního potenciálu. Práce je vhodná pro studenty s dobrými znalostmi teorie elasticity, programování a numerických metod.
Předběžná náplň práce v anglickém jazyce
The deformation field in a quantum dot on a semicondcutor surface nor buried below the surface affects substantially the states of charge carriers confined in the dot and consequently the electric and optical properties of quantum dots. The aim of the work is to compare the results of various simulation methods of the deformation field, especially the finite-elelemnt method based on macorscopic elasticity theory, analytic method of solution of the equilibrium equations, and an atomistic method based on effective potentials. The work is suitable for students with a good knowledge of elasticity theory, numerical methods and programming skills.
