Transport and optical properties of CdTe/CdZnTe single crystals
| Název práce v češtině: | Transportní a optické vlastnosti monokrystalů CdTe/CdZnTe |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Transport and optical properties of CdTe/CdZnTe single crystals |
| Klíčová slova: | CdTe, metoda přechodných proudů, elektrické pole, absorpční hrana, šířka zakázaného pásu |
| Klíčová slova anglicky: | CdTe, transient-current technique, electric field, absorption edge, bandgap energy |
| Akademický rok vypsání: | 2009/2010 |
| Typ práce: | disertační práce |
| Jazyk práce: | angličtina |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | doc. Ing. Eduard Belas, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 29.09.2009 |
| Datum zadání: | 13.10.2009 |
| Datum a čas obhajoby: | 09.01.2015 09:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 05.08.2014 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 05.08.2014 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 09.01.2015 |
| Oponenti: | prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc. |
| Mgr. Ondřej Drbohlav | |
| Konzultanti: | prof. RNDr. Roman Grill, CSc. |
| Zásady pro vypracování |
| 1. Seznámit se se strukturou defektů v II-VI polovodičích.
2. Seznámit se s přípravou vzorků CdTe/CdZnTe a s aparaturami na charakterizaci jejich transportních a optických vlastností. 3. Provést měření transportních vlastností připravených vzorků pomocí metody Transient Current Technique. 4. Navrhnout aparaturu na měření vysokoteplotní šířky zakázaného pásu pomocí měření infračervené absorpce a provést měření v rozsahu teplot 300-1200K. |
| Seznam odborné literatury |
| 1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2 3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2 4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7 5. Odborné články týkající se dané problematiky |
| Předběžná náplň práce |
| Polovodivé materiály na bázi CdTe představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření a rovněž jako podložka pro epitaxní růst (HgCd)Te používaného pro detekci infračerveného záření. Vlastnosti detektorů jsou ovlivněny jak vlastnostmi výchozího materiálu, tak způsobem přípravy povrchu a elektrických kontaktů. Cílem práce bude studium transportních vlastností detektorů pomocí metody Transient Current Technique a určení vlivu materiálu a pripravených kontaktů na finální kvalitu detektoru. Dalším cílem bude určení šířky zakázaného pásu CdTe v intervalu teplot 300-1200K pomocí měření infračervené absorpce. Výsledky budou použity k optimalizaci podmínek přípravu kvalitních detektorů.
Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán. |