Simulace reaktivního růstu ultratenkých vrstev
| Název práce v češtině: | Simulace reaktivního růstu ultratenkých vrstev |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Simulation of reactive growth of thin films |
| Akademický rok vypsání: | 2009/2010 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | |
| Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
| Vedoucí / školitel: | doc. RNDr. Pavel Kocán, Ph.D. |
| Řešitel: |
| Zásady pro vypracování |
| 1) Seznámení se s metodou Monte Carlo a problematikou růstu MnSi na povrchu Si(111)
2) Vývoj počítačového kódu pro simulaci růstu silicidu 3) Využití modelu k nalezení podmínek pro růst vysoce kvalitních vrstev |
| Seznam odborné literatury |
| [1] Eckertová L.: Physics of Thin Films, Plenum Press, NY 1986.
[2] Kotrla M.: Comp. Phys. Communication 97, 82 (1996). [3] Články v odborných časopisech podle doporučení vedoucího práce. |
| Předběžná náplň práce |
| Z důvodu možných aplikací ve spintronických součástkách je studována skupina přechodových kovů a jejich reakce s povrchem křemíku. Příkladem je růst silicidu manganu (MnSi), u kterého teoretické výpočty předpověděly vysoký stupeň polarizace spinu v atomárně tenkých krystalických vrstvách. V nedávné době byl nalezen postup, jak takové vrstvy připravit na povrchu Si(111).
Cílem vypsané bakalářské práce je počítačová simulace růstu MnSi krystalických vrstev pomocí metody Monte Carlo, založené na náhodné realizaci událostí definovaných v modelu. Pro aplikovatelnost vrstev MnSi je zásadní maximiální atomární hladkost a homogenita vrstev. Důraz proto bude kladen na nalezení podmínek pro růst takto vysoce kvalitních vrstev. Při simulaci bude využito experimentálně získaných dat v laboratoři na Kyushu University v Japonsku. Výsledky práce budou přímo publikovatelné, na práci je možné navázat prací diplomovou. http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=115 |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=115
|