Studium elektronických vlastností Sn-In a Sn-Al bimelických atomárních řetízků na povrchu křemíku metodami rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a spektroskopie (STS)
| Název práce v češtině: | Studium elektronických vlastností Sn-In a Sn-Al bimelických atomárních řetízků na povrchu křemíku metodami rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a spektroskopie (STS) |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | STM/STS study of electronic properties of Sn-In and Sn-AL bimetallic atomic chainson silicon surface |
| Akademický rok vypsání: | 2009/2010 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | |
| Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
| Vedoucí / školitel: | doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. |
| Řešitel: |
| Zásady pro vypracování |
| - Zvládnutí experimentálních technik STM/STS pro studium povrchových struktur a procesů v ultravakuových p odmínkách.
- Zvládnutí současné depozice dvou kovů ( In-Sn případně Al-Sn ) a vytváření reprodukovatelných struktur na povrchu Si(100) 2×1. - Studium objektů metodou STM/STS. |
| Seznam odborné literatury |
| 1. Venables J. A.: Surfaces and Thin Film Processes, Cambridge Univ. Press Cambridge 2000
2. Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992 3. Methods of experimental physics: Scanning tunneling microscopy, ed. by J.A.Stroscio, W.J. Kaiser, Academic Press Ltd., 1993 |
| Předběžná náplň práce |
| Řada kovů vytváří na zrekonstruovaném povrchu křemíku Si(100)2×1 lineární atomární řetízky, které narůstají kolmo na dimerové řady křemíkových atomů povrchové rekonstrukce. Řetízky jsou tvořeny kovovými dimery orientovanými ve směru řetízku. Elektronová struktura řetízků tvořených atomy stejného prvku nevykazuje kovový charakter. To je problém z hlediska jejich použití v budoucích elektronických součástkách, nicméně teoretické výpočty naznačují výrazný rozdíl v elektronové struktuře (i vodivosti) řetízků tvořených sudým a lichým počtem atomů. Rovněž lze očekávat že vhodnou kombinací dvou nebo i více různých kovů budeme moci ovlivňovat elektronovou strukturu vzniklých objektů.
Pro experimentální studium bude využita technika rastrovací tunelové mikroskopie (STM) pro zobrazení povrchu v reálném prostoru s lokálním atomárním rozlišením. Z hlediska možného využití nízkodimenzionálních struktur v aktivních prvcích je vedle struktury nesmírně důležitá i otázka jejich elektronických vlastností. Na tuto otázku může dát odpověď tunelová spektroskopie (STS). http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=109 |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=109
|