Studium pohyblivosti atomů kovů na povrchu Si(100)2×1 pomocí STM
| Název práce v češtině: | Studium pohyblivosti atomů kovů na povrchu Si(100)2×1 pomocí STM |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Study of mobility of metal atoms on the Si(100)2×1 surface using STM |
| Akademický rok vypsání: | 2009/2010 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
| Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 06.11.2009 |
| Datum zadání: | 06.11.2009 |
| Datum a čas obhajoby: | 14.09.2010 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 14.09.2010 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 14.09.2010 |
| Oponenti: | Mgr. Jan Pudl |
| Zásady pro vypracování |
| - Seznámení se s technikou STM a růstovým experimentem.
- Nalezení optimálního rozsahu teplot pro sledování povrchových přeskoků atomu vybraného kovu (In, Ga, Al, Sn) pomocí STM. - Časový záznam přeskoků jednotlivých atomů při alespoň dvou různých teplotách. - Analýza časových řad získaných naměřením historie přeskoků jednotlivých atomů. - Stanovení parametrů povrchové "difúze." |
| Seznam odborné literatury |
| [1] Bai Ch., Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf. Sci. 32, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, N.Y., 1992.
[2] Chen C. J., Introduction to Scanning Tunneling Microscopy, Oxford University Press, New York, 2008. [3] Články v odborných časopisech doporučené vedoucím práce. |
| Předběžná náplň práce |
| Růst uspořádaných nanostruktur kovů na anizotropním povrchu křemíku (100) s rekonstrukcí 2×1 je intenzivně studován jak z hlediska základního výzkumu tak pro jejich využití v oblasti nanotechnologií. Pohyblivost atomů kovu mezi adsorpčními pozicemi na povrchu křemíku během depozice - vakuového napařování pomocí atomárních svazků - je důležitá pro morfologii vytvářené struktury. Povrchová pohyblivost je tepelně aktivovaný proces, při pokojové teplotě však je četnost náhodných přeskoků atomů natolik velká, že je nelze pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) zaznamenat. Snížením teploty křemíkového substrátu je možno tento proces zpomalit natolik, že pomocí STM lze zaznamenat jednotlivé přeskoky a analýzou jejich záznamu získat jeho mikroskopické parametry, zejména energetické bariéry. Tyto parametry byly dosud získány teoretickými výpočty nebo nepřímo pomocí simulací, a to pouze pro několik případů (data jsou navíc dosti rozporuplná).
Předpokládané výsledky práce významně doplní znalosti o povrchové difúzi na Si(100)2×1 a jsou publikovatelné v některém z předních časopisů. Práce může být základem pro navazující diplomovou práci v rámci magisterského studia. http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=119 |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=119 |