Rtg difrakce na nanokrystalických tenkých vrstvách
| Název práce v češtině: | Rtg difrakce na nanokrystalických tenkých vrstvách |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | X-ray diffraction from nanocrystalline thin layers |
| Akademický rok vypsání: | 2008/2009 |
| Typ práce: | diplomová práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Katedra fyziky kondenzovaných látek (32-KFKL) |
| Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Václav Holý, CSc. |
| Řešitel: |
| Zásady pro vypracování |
| 1. Studium monografie a časopisecké literatury
2. Měření rtg difrakce v laboratoři KFKL a na synchrotronech 3. Formulace teoretického modelu 4. Analýza naměřených dat |
| Seznam odborné literatury |
| Jens Als-Nielsen and Des McMorrow: Elements of Modern X-ray Physics, J. Wiley 2001.
Časopisecká literatura podle pokynů vedoucího práce |
| Předběžná náplň práce |
| Nanokrystalické materiály jsou v poslední době velmi intenzivně sledovány pro svoje unikátní fyzikální vlastnosti a slibné technologické aplikace. Fyzikální vlastnosti polovodičových, kovových a dielektrických nanokrystalů závisí podstatným způsobem na jejich atomární struktuře, fázovém složení a na přítomnosti strukturních defektů.
Cílem diplomové práce je studium polovodičových a dielektrických nanokrystalů v amorfní dielektrické matrici (převážně SiO2) metodami rtg difrakce. Měření bude prováděno v rtg laboratoři KFKL a na synchrotronech ESRF a ANKA. Obsahem práce bude kromě provádění experimentu i teoretická simulace difrakce pomocí metody Debyeho funkce a analýza naměřených dat, z níž bude určena střední velikost nanočástic, statistické parametry jejich orientace, fázové složení a případně přítomnost strukturních defektů. Téma je vhodné pro studenta/studentku se zájmem o experimentální práci, vyžaduje se dobrá znalost fyziky tuhých látek, rtg difrakce, numerických metod a programování. |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| Nanocrystalline materials are intensively studied, because of their unique physical properties and prospective technological applications. The physical properties of semiconductor, metallic, and dielectric nanocrystals substantially depend on their atomic structure, phase composition and on the presence of structural defects.
The aim of the thesis is to study semiconductor and dielectric nanocrystals in an amorphous dielectrix matrix (mainly SiO2) by x-ray diffraction methods. The measurements will be carried out at the x-ray laboratory of Department of Condensed matter Physics, as well as on synchrotron sources ESRF and ANKA. In addition to the experimental work, the thesis will also comprise theoretical simulations of diffraction by means of the Debye formula, and a data analysis, from which one determines the mean crystal size, statistical parameters of their orientation, the phase composition, as well as te presence of structure defects. The thesis is suitable for an experimentalist, however a good knowledge of solid-state physics, x-ray diffraction, and numerical methods is required. |