Výpočet strukturního faktoru slitiny GaMnAs
| Název práce v češtině: | Výpočet strukturního faktoru slitiny GaMnAs |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Calculation of the structure factor of a GaMnAs alloy |
| Akademický rok vypsání: | 2007/2008 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Katedra fyziky kondenzovaných látek (32-KFKL) |
| Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Václav Holý, CSc. |
| Řešitel: |
| Zásady pro vypracování |
| V posledních několika letech se intenzivně studuje slitina GaMnAs pro svoje unikátní magnetické vlastnosti. Jednou z možností určení koncentrace substitučně umístěných atomů Mn je přesné měření intenzity difrakce rtg záření na tomto materiálu. Cílem práce je aplikovat známý vztah pro strukturní faktor krystalu na slitinu GaMnAs a vypočítat intenzity různých difrakcí s uvážením atomů Mn v substitučních i intersticiálních polohách i atomů As v polohách Ga, tj. tzv. As antisites. Výpočet bude proveden pro různé energie rtg záření, zejména v okolí absorpční hrany Mn K.
Práce je teoretické a výpočetní povahy a součástí práce je sestavení vlastního počítačového programu. Zájemci se mohou dozvědět podrobnosti u V. Holého osobně nebo na e-mailové adrese holy@mag.mff.cuni.cz Po konzultaci se mohou tamtéž přihlásit.Práce je též vhodná pro uchazeče o magisterské studium. |
| Seznam odborné literatury |
| Pietsch U., Holý V. and Baumbach T., High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films to Lateral Nanostructures, Advanced Texts in Physics, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York 2004.
|
| Předběžná náplň práce |
| V posledních několika letech se intenzivně studuje slitina GaMnAs pro svoje unikátní magnetické vlastnosti. Jednou z možností určení koncentrace substitučně umístěných atomů Mn je přesné měření intenzity difrakce rtg záření na tomto materiálu. Cílem práce je aplikovat známý vztah pro strukturní faktor krystalu na slitinu GaMnAs a vypočítat intenzity různých difrakcí s uvážením atomů Mn v substitučních i intersticiálních polohách i atomů As v polohách Ga, tj. tzv. As antisites. Výpočet bude proveden pro různé energie rtg záření, zejména v okolí absorpční hrany Mn K.
Práce je teoretické a výpočetní povahy a součástí práce je sestavení vlastního počítačového programu. |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| Recently, (Ga,Mn)As semiconductors are intensively studied because of their unique magnetic properties. One of the methods for the determination of the concentration of Mn atoms in lattice positions (substituting Ga atoms in the GaMnAs alloy) is based on an exact measurement of the intensity of x-ray diffraction. The aim of the work is to apply a well-known formula for the calculation of the structure factor for the GaMnAs alloy and to calculate the intensities of different diffractions taking into account the Mn atoms being both in substitutional and in interstitial positions, and also As antisite defects. The calculations will be performed for various x-ray energies, especially around the MnK absorption edge. The work is purely theoretical and it comprises also a development of a simulation software. |