Rozptyl rtg záření na mikrodefektech v křemíku
| Název práce v češtině: | Rozptyl rtg záření na mikrodefektech v křemíku |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | X-ray scattering from microdefects in silicon |
| Akademický rok vypsání: | 2006/2007 |
| Typ práce: | diplomová práce |
| Jazyk práce: | |
| Ústav: | Katedra fyziky kondenzovaných látek (32-KFKL) |
| Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Václav Holý, CSc. |
| Řešitel: | |
| Konzultanti: | doc. RNDr. Stanislav Daniš, Ph.D. |
| Seznam odborné literatury |
| V. Holý, U. Pietsch and T. Baumbach, High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films and Multilayers, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York 1999.
časopisecká literatura podle pokynů vedoucího práce |
| Předběžná náplň práce |
| I když defekty v křemíku se studují již několik desetiletí, stále existuje řada problémů, týkajících se zejména kinetiky vzniku defektů během růstu monokrystalů a závislosti typu defektů na koncentraci vlastních intersticiálů resp. vakancí v rostoucím ingotu. V posledních letech se objevila principiálně nová metoda studia nanostruktur pomocí rozptylu koherentní rtg vlny a úplné rekonstrukce fáze rozptýlené vlny metodou phase retrieval. Cílem práce je aplikace této metody pro studium mikrodefektů v křemíku (precipitátů SiOx a Frankových vrstevných chyb) a navržení vhodného experimentálního postupu.
Práce je teoretické povahy a jejím obsahem je simulace koherentní difrakce na těchto defektech a zpětná rekostrukce defektu metodou phase retrieval. V práci budou simulována různá experimentální uspořádání (široká dopadající vlna, kolimovaná vlna) a bude navržen vhodný experimentální postup. Práce bude zahrnovat důkladnou teoretickou formulaci problému a rozsáhlé numerické simulace |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| In spite of the fact that microdefects in silicon have been extensively studied for several decades, a row of problems still remains open, especially the kinetics of the defect nucleation and growth during the crystal pulling and the dependence of the defect type on the concentration of self-interstitials and vacancies in the growing ingot. Recently, a new experimental method has emerged, in which nanostructures are studied by coherent x-ray scattering a a complete reconstruction of the phase of the scattered wave by a phase-retrieval method. The aim of the work is to use this method for the study of microdefects in Si (SiOx interstitials or Frank stacking faults) and to suggest a suitable experimental recipe.
The work is mainly theoretical and it includes simulations of coherent x-ray diffraction from the defects and a back reconstruction of the defect structure by a phase retrieval method. Several experimental setups will be simulated (broad primary beam, collimated beam) and a suitable experimental procedure will be suggested. The work will comprise a thorough theoretical formulation of the problem and extensive numerical simulations |