Mapování lokální hustoty stavů lineárních kovových řetízků na povrchu Si(100)-(2×1) metodou STM/STS
| Název práce v češtině: | Mapování lokální hustoty stavů lineárních kovových řetízků na povrchu Si(100)-(2×1) metodou STM/STS |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | LDOS mapping of linear metal chains on Si(100)-(2×1) surface by STM/STS method |
| Akademický rok vypsání: | 2006/2007 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Katedra fyziky povrchů a plazmatu (32-KFPP) |
| Vedoucí / školitel: | doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 10.11.2006 |
| Datum zadání: | 10.11.2006 |
| Datum a čas obhajoby: | 25.06.2007 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 20.04.2007 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 20.04.2007 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 25.06.2007 |
| Oponenti: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
| Zásady pro vypracování |
| Úkolem bude:
• Detailní seznámení se s technikou STM/STS. • Seznámení se s příprava rekonstruovaného povrchu Si(100)-(2×1) a se způsobem depozice vybraného kovu. • Zobrazení topografie získaných nanostruktur pomocí STM. • První pokusy o sejmutí map lokální hustoty stavů při různých napětích hrotu. • Vyhodnocení experimentů a návrhy případných změn experimentálního uspořádání. |
| Seznam odborné literatury |
| 1. Eckertová L.: Physics of Thin Films, Plenum Press, NY 1986.
2. Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992 3. Methods of experimental physics: Scanning tunneling microscopy, ed.by J.A.Stroscio,W.J.Kaiser, Academic Press Ltd.,1993 4. Članky z odborných časopisů podle doporučení vedoucího. |
| Předběžná náplň práce |
| Rozvoj epitaxních ultravakuových technik umožňuje vysokou úroveň řízení růstu vrstev a dovoluje přípravu nových umělých materiálů, které mají neobvyklé vlastnosti - zejména se jedná o útvary s velmi malým jedním či více rozměry - kvantové struktury - supermřížky, kvantové jámy. Velké úsilí se věnuje přípravě plošně uspořádaných nanostruktur – soustav tzv. kvantových drátů a kvantových teček - a to využitím samoorganizovaného chování atomů v průběhu růstu.
Rastrovací tunelový mikroskop (STM) je zařízení, které umožňuje zobrazení povrchu s vysokým laterálním i vertikálním rozlišením (typicky 0,01-0,1 nm). Rastrovací tunelová spektroskopie (STS) dále rozšiřuje možnosti STM. Závislost tunelového proudu na napětí změřená mezi hrotem a povrchem odráží informace o lokální hustotě povrchových elektronových stavů v přesně definovaném místě povrchu a to s takovým prostorovým rozlišením, které nemůže poskytnout žádná z jiných běžně používaných technik Cílem práce je definovaná příprava jedno-dimenzionálních kovových nanostruktur na povrchu Si, přičemž jejich struktura bude charakterizována pomocí STM buď přímo během jejich růstu nebo bezprostředně po jejich přípravě. Elektronické vlastnosti těchto objektů budou charakterizovány pomocí prostorově rozlišené mapy lokální hustoty povrchových stavů. |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| Application of STM/STS techniques to obtain information about local density of surface states of linear metal chains on Si(100)-(2×1) surface. |