Mapování krystalů CdTe pomocí luminiscence
| Název práce v češtině: | Mapování krystalů CdTe pomocí luminiscence |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Mapping of CdTe crystals by luminescence |
| Akademický rok vypsání: | 2007/2008 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | prof. Ing. Jan Franc, DrSc. |
| Řešitel: |
| Zásady pro vypracování |
| 1. Vypracovat rešerši o mapování krystalů CdTe pomocí optických metod
2. Provést měření dvou vzorků CdTe 3. Zpracovat měření a diskutovat získané výsledky |
| Předběžná náplň práce |
| Polovodičový materiál CdTe patří vzhledem ke svým unikátním vlastnostem k nejperspektivnějším
materiálům pro celou řadu aplikací (vysoce citlivé, nechlazené detektory Rentgenova a gama záření s využitím v medicíně, jaderné bezpečnosti, bezpečnosti na letištích..), substráty pro matice infračervených detektorů. Je jedním ze studovaných materiálů pro spintroniku. Optické, elektrické a strukturní vlastnosti materiálu lze ovlivnit přítomností přirozených bodových defektů a příměsí. Při růstu krystalů dochází k segregaci jednotlivých typů příměsí a poruch, což má za následek, že se vlastnosti materiálu v různých částech krystalu liší. Bakalářské práce je zaměřena na diagnostiku rozložení přirozených defektů a příměsí pomocí nízkoteplotní fotoluminiscence. K měření bude použito stávající automatického zařízení sestávající z laditelného Ti-safírového, příp.He-Ne laseru a kryostatu určeného k mapování vzorků. Zpracovaná spektra fotoluminisence pak umožňují určit rozložení maxim v ploše mapovaného vzorku a tím i plošný průběh jednotlivých typů defektů a příměsí. |