Vliv žíhání na koncentraci přirozených defektů v polovodičích (CdZn)Te.
| Název práce v češtině: | Vliv žíhání na koncentraci přirozených defektů v polovodičích (CdZn)Te. |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Influence of the annealing on the native defects concentration in (CdZn)Te semiconductors. |
| Akademický rok vypsání: | 2005/2006 |
| Typ práce: | diplomová práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | prof. Ing. Eduard Belas, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 12.04.2007 |
| Datum zadání: | 12.04.2007 |
| Datum a čas obhajoby: | 14.05.2007 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 14.05.2007 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 14.05.2007 |
| Oponenti: | prof. RNDr. Bruno Sopko, DrSc. |
| Konzultanti: | prof. RNDr. Roman Grill, CSc. |
| Zásady pro vypracování |
| 1. Seznámit se se základními principy difúze v polovodičích.
2. Seznámit se s přípravou vzorků a s aparaturou na žíhání. 3. Provést testovací žíhání vzorků. 4. Porovnat elektrické a optické vlastnosti vzorků před a po žíhání. 5. Porovnat rozložení přirozených defektů ve vzorcích před a po žíhání metodou pomocí infračerveného mikroskopu. |
| Seznam odborné literatury |
| 1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2 3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2 |
| Předběžná náplň práce |
| Práce je zaměřena na výzkum optimálních podmínek žíhání, které povedou k
výraznému snížení koncentrace přirozených defektů v polovodičích CdZnTe. Vyčištěné materiály budou následně využity jako podložky pro molekulární epitaxi nebo jako detektory gamma záření. |