Témata prací (Výběr práce)Témata prací (Výběr práce)(verze: 368)
Detail práce
   Přihlásit přes CAS
Rtg difrakce s vysokým rozlišením na epitaxních vrstvách GaMnAs
Název práce v češtině: Rtg difrakce s vysokým rozlišením na epitaxních
vrstvách GaMnAs
Název v anglickém jazyce: High-resolution x-ray diffraction from epitaxial layers of GaMnAs
Akademický rok vypsání: 2005/2006
Typ práce: diplomová práce
Jazyk práce:
Ústav: Katedra fyziky kondenzovaných látek (32-KFKL)
Vedoucí / školitel: prof. RNDr. Václav Holý, CSc.
Řešitel:
Seznam odborné literatury
A. Authier, Dynamical Theory of X-Ray Diffraction, Oxford Univ. Press, Oxford 2001.
V. Holý, U. Pietsch and T. Baumbach, High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films and Multilayers, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York 1999.
Předběžná náplň práce
Polovodičové epitaxní vrstvy GaMnAs jsou v posledních několika letech intenzivně sledovány pro svoje unikátní magnetické vlastnosti. Zvýšení Curieho teploty tohoto materiálu nad asi 100K vyžaduje zvětšit koncentraci atomů Mn nad 8%, což přináší řadu strukturních problémů, zejména zvětšení koncentrace atomů Mn v nepříznivých intersticiálních polohách.
Cílem práce je měření rtg difrakčních křivek epitaxních vrstev GaMnAs připravených metodou molekulární epitaxe na FzÚ AV ČR v Praze a na univerzitě v Lundu (Švédsko). Difrakční křivky budou simulovány pomocí dynamické teorie difrakce s cílem stanovit mřížkový parametr vrstvy a odhadnout koncentrace jednotlivých typů bodových defektů. Měření budou prováděna na difraktometru PANalytical na KFES MFF UK v Praze; měření anomální difrakce (u absorpční hrany MnK) na synchrotronu ESRF v Grenoblu.
Práce je převážně experimentální povahy, vyžaduje však zběhlost v numerickém řešení jednoduchých fyzikálních problémů a v programování.
 
Univerzita Karlova | Informační systém UK