Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
| Název práce v češtině: | Vliv hlubokých hladin na transport náboje v CdTe a CdZnTe |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe |
| Klíčová slova: | CdTe, CdZnTe, polovodičové detektory Rentgenova a gama záření, polarizace v detektoru, hluboké energetické hladiny, kontaktní kovy, Pockelsův jev |
| Klíčová slova anglicky: | CdTe, CdZnTe, semiconductor X-ray and gamma-ray detectors, polarization in detector, deep energy levels, contact metals, Pockels effect |
| Akademický rok vypsání: | 2013/2014 |
| Typ práce: | rigorózní práce |
| Jazyk práce: | angličtina |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 10.07.2014 |
| Datum zadání: | 10.07.2014 |
| Datum potvrzení stud. oddělením: | 10.07.2014 |
| Datum a čas obhajoby: | 21.07.2014 00:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 10.07.2014 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 10.07.2014 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 21.07.2014 |