Současný elektronický průmysl je závislý na využití rozhraní s orientovanými povrchy křemíku. Uspořádáný růst nanostruktur je ale ne povrchu čistého křemíku často komplikován přítomností nenasycených vazeb, které významně snižují difuzivitu atomů a molekul na povrchu. Nenasycené vazby lze odstranit pasivací povrchu vhodným prvkem. Ideálními nástroji pro studium růstu nanostruktur na atomární úrovni jsou řádkovací tunelový mikroskop (STM) a spektroskopie (STS).
Cílem práce bude v první řadě porovnání pasivace různými kovovými vrstvami a porovnání vlivu jednotlivých pasivačních vrstev na růst (pomocí STM) a elektronickou strukturu (pomocí STS) vybraných adsorbátů. Prvním studovaným problémem bude růst křemíkové vrstvy – oddělením od substrátu pasivační vrstvou je možné očekávat růst silicenu. Následně bude studován vliv pasivace na uspořádání vybraných organických molekul. Pro lepší pochopení vlivu difuzivity bude v rámci práce naprogramován kód simulující růst a uspořádání vrstev na pasivovaném povrchu.
Seznam odborné literatury
Časopisecká literatura bude doplněna po konzultaci se školitelem.
- zadáno a potvrzeno stud. odd.