Rtg difrakce na semipolárních epitaxních vrstvách GaN
| Název práce v češtině: | Rtg difrakce na semipolárních epitaxních vrstvách GaN |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | X-ray diffraction from semipolar GaN epitaxial layers |
| Klíčová slova: | rtg difrakce, GaN, difuzní rozptyl, vrstevné chyby |
| Klíčová slova anglicky: | x-ray diffraction, GaN, diffuse x-ray scattering, stacking faults |
| Akademický rok vypsání: | 2012/2013 |
| Typ práce: | bakalářská práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Katedra fyziky kondenzovaných látek (32-KFKL) |
| Vedoucí / školitel: | prof. RNDr. Václav Holý, CSc. |
| Řešitel: |
| Zásady pro vypracování |
| 1. seznámení se strukturou semipolárních vrstev GaN
2. defekty v semipolárním GaN 3. seznámení se základy teorie rtg difrakce 4. měření rtg difrakce na semipolárních vrstvách GaN 5. simulace naměřených dat pomocí vhodného strukturního modelu (sestavení vlastního software nebo modifikace existujících programů) 6. Srovnání naměřených a simulovaných dat - určení typu a hustoty defektů v GaN |
| Seznam odborné literatury |
| podle pokynů vedoucího práce |
| Předběžná náplň práce |
| Epitaxní vstvy GaN jsou v poslední době intenzivně studovány pro jejich důležité aplikace v optoelektronice, diody na bázi GaN jednou nahradí konvenční zdroje světla. Semipolární vrstvy GaN s povrchem (11-23) na sustrátech Al2O3 vykazují značné množství defektů, zejména bazálních vrstevných chyb v rovinách (0001). Výsledky práce přispějí k vývoji rtg difrakční metody pro spolehlivé nedestruktiní stanovení hustoty jednotlivých typů vrstevných chyb. Podobná metoda existuje pro nepolární epitaxní vrstvy GaN s povrchem (11-20), cílem práce je modifikovat tuto metodu pro semipolární vrstvy. Práce je kombinací teorie (teorie rtg rozptylu na defektech) s numerickými metodami (simulace difraktované intenzity a fitování naměřených dat) a experimentální práce v laboratoři. |
| Předběžná náplň práce v anglickém jazyce |
| Epitaxial GaN layers are intensively studied nowadays because of their important applications in optoelectronics - the ayre expected to replace soon conventional light bulbs. Semipolar GaN layers with the surface (11-23) on sapphire substrates exghibit a large density of defects, especially stacking faults in basal (0001) planes. The results of the thesis will contribute to the development of a simple and reilablex -ray method for determination of densities of individual defect types. An analogous method esists already for non-polar GaN layers with orientation (11-20), the aim of the work is to modfy it for semipolar layers. The work is a combination of theory (scattering theory), numerical methods (simulation of scattered intensity and fitting of experimental data) and experimental work in our x-ray lab. |