Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
| Název práce v češtině: | Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce: | Electrical and optical properties of SiC single crystals |
| Klíčová slova: | SiC, detektory záření, kontakt kov-polovodič, V-A charakteristiky, Ramanova spektroskopie |
| Klíčová slova anglicky: | SiC, radiation detectors, metal-semiconductor contacts, V-A characteristics, Raman spectroscopy |
| Akademický rok vypsání: | 2017/2018 |
| Typ práce: | diplomová práce |
| Jazyk práce: | čeština |
| Ústav: | Fyzikální ústav UK (32-FUUK) |
| Vedoucí / školitel: | doc. Ing. Eduard Belas, CSc. |
| Řešitel: | skrytý - zadáno a potvrzeno stud. odd. |
| Datum přihlášení: | 16.02.2018 |
| Datum zadání: | 19.02.2018 |
| Datum potvrzení stud. oddělením: | 04.10.2018 |
| Datum a čas obhajoby: | 15.09.2020 09:00 |
| Datum odevzdání elektronické podoby: | 30.07.2020 |
| Datum odevzdání tištěné podoby: | 30.07.2020 |
| Datum proběhlé obhajoby: | 15.09.2020 |
| Oponenti: | doc. Ing. Ivan Štekl, CSc. |
| Konzultanti: | doc. RNDr. Jan Kunc, Ph.D. |
| Zásady pro vypracování |
| OEM
1. Seznámit se se strukturou defektů v SiC polovodičích. 2. Seznámit se s přípravou vzorků SiC a s aparaturami na charakterizaci jejich elektrických a optických vlastností. 3. Provést měření elektrických a optických vlastností SiC vzorků. 4. Provést měření transportních vlastností připravených SiC vzorků pomocí metody Transient Current Technique. 5. Provést srovnání jednotlivých vlastnosti na vzorcích připravených různými metodami. |
| Seznam odborné literatury |
| 1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2 3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2 4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7 5. Odborné články týkající se dané problematiky |
| Předběžná náplň práce |
| Polovodivé materiály na bázi SiC představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření a rovněž jako podložka pro epitaxní růst. Cílem práce bude studium elektrických, optických a transportních vlastností SiC vzorků a určení vlivu materiálu a pripravených kontaktů na finální kvalitu vzorků. Dalším cílem práce bude úprava stávající aparatury na měření transientních proudů pro měření polovodičů s širokým zakázaným pásem. Výsledky budou použity k optimalizaci podmínek přípravu kvalitních detektorů.
Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán. |