velikost textu

Diffuse x-ray scattering from GaN epitaxial layers

Upozornění: Informace získané z popisných dat či souborů uložených v Repozitáři závěrečných prací nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora.
Název:
Diffuse x-ray scattering from GaN epitaxial layers
Název v češtině:
Difúzní rozptyl rentgenového záření na GaN epitaxních vrstvách
Typ:
Disertační práce
Autor:
Mykhailo Barchuk, Ph.D.
Školitel:
prof. RNDr. Václav Holý, CSc.
Oponenti:
Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.
prof. Dr. Ulrich Pietsch
Id práce:
44667
Fakulta:
Matematicko-fyzikální fakulta (MFF)
Pracoviště:
Katedra fyziky kondenzovaných látek (32-KFKL)
Program studia:
Fyzika (P1701)
Obor studia:
Fyzika kondenzovaných látek a materiálový výzkum (4F3)
Přidělovaný titul:
Ph.D.
Datum obhajoby:
29. 11. 2012
Výsledek obhajoby:
Prospěl/a
Jazyk práce:
Angličtina
Klíčová slova:
Gallium Nitrid (GaN), difrakce rtg záření, Monte Carlo simulace, threading dislokace, vrstevné chyby
Klíčová slova v angličtině:
Gallium Nitride, x-ray diffraction, Monte Carlo simulation, threading dislocations, stacking faults
Abstrakt:
Abstrakt Reální struktura heteroepitaxních vrstev GaN a AlGaN je studována pomocí difúzního rozptylu rtg záření. Nově vyvinutá metoda založená na Monte Carlo simulaci umožňuje určovat hustotu threading dislokací ve vrstvách c-GaN a vrstevných chyb ve vrstvách a-GaN. Hustoty defektů ze simulací Monte Carlo jsou srovnány s hodnotami získanými standardními metodami (transmisní elektronová mikroskopie, metalografie leptových důlků). Výhody a omezení našeho postupu jsou podrobně diskutovány; přesnost metody je stanovena jako 15%. Ukázali jsme, že naše metoda je spolehlivý nástroj pro určení hustot threading dislokací a vrstevných chyb ve vrstvách GaN.
Abstract v angličtině:
Abstract Real structure of heteroepitaxial GaN and AlGaN layers is studied by diffuse x-ray scattering. A new developed method based on Monte Carlo simulation enabling to determine densities of threading dislocations in c-plane GaN and stacking faults in a-plane GaN is presented. The results of Monte Carlo simulations are compared with ones obtained by use of other conventional techniques. The advantages and limitations of the new method are discussed in detail. The methods accuracy is estimated as about 15%. We have shown that our method is a reliable tool for threading dislocations and stacking faults densities determination.
Dokumenty
Stáhnout Dokument Autor Typ Velikost
Stáhnout Text práce Mykhailo Barchuk, Ph.D. 4.34 MB
Stáhnout Abstrakt v českém jazyce Mykhailo Barchuk, Ph.D. 34 kB
Stáhnout Abstrakt anglicky Mykhailo Barchuk, Ph.D. 40 kB
Stáhnout Posudek vedoucího prof. RNDr. Václav Holý, CSc. 84 kB
Stáhnout Posudek oponenta Mgr. Ondřej Caha, Ph.D. 42 kB
Stáhnout Posudek oponenta prof. Dr. Ulrich Pietsch 128 kB
Stáhnout Záznam o průběhu obhajoby prof. RNDr. Helena Štěpánková, CSc. 79 kB