velikost textu

Structure defects in SiC radiation detectors

Upozornění: Informace získané z popisných dat či souborů uložených v Repozitáři závěrečných prací nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora.
Název:
Structure defects in SiC radiation detectors
Název v češtině:
Strukturní defekty v SiC detektorech
Typ:
Rigorózní práce
Autor:
Bc. Matyáš Zetek
Vedoucí:
doc. Ing. Eduard Belas, CSc.
Id práce:
215731
Fakulta:
Matematicko-fyzikální fakulta (MFF)
Pracoviště:
Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
Program studia:
Fyzika (N1701)
Obor studia:
Optika a optoelektronika (FOOE)
Přidělovaný titul:
RNDr.
Datum obhajoby:
26. 11. 2019
Výsledek obhajoby:
Prospěl/a
Jazyk práce:
Angličtina
Klíčová slova:
SiC, defekty, žíhání, Hallův jev, Fotoluminiscence, Transientní proudy
Klíčová slova v angličtině:
SiC, Defects, Annealing, Hall effect, Photoluminescence, Transient currents
Abstrakt:
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
Abstract v angličtině:
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. In this thesis, we are broadening elementary knowledge about this material. We identify energy levels in the material, using Photo-Hall effect spectroscopy supported by the temperature dependency of classic Hall effect measurement and temperature dependent photoluminescence. This knowledge is essential to allow SiC application as a radiation detector.
Dokumenty
Stáhnout Dokument Autor Typ Velikost
Stáhnout Text práce Bc. Matyáš Zetek 5.71 MB
Stáhnout Abstrakt v českém jazyce Bc. Matyáš Zetek 44 kB
Stáhnout Abstrakt anglicky Bc. Matyáš Zetek 31 kB
Stáhnout Záznam o průběhu obhajoby prof. RNDr. Pavel Höschl, DrSc. 211 kB