velikost textu

Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC

Upozornění: Informace získané z popisných dat či souborů uložených v Repozitáři závěrečných prací nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora.
Název:
Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC
Název v angličtině:
Role of hydrogen during growth of epitaxial graphene on SiC
Typ:
Bakalářská práce
Autor:
Bc. Petr Sýkora
Vedoucí:
Mgr. Jan Kunc, Ph.D.
Oponent:
doc. Ing. Jan Čechal, Ph.D.
Id práce:
196146
Fakulta:
Matematicko-fyzikální fakulta (MFF)
Pracoviště:
Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
Program studia:
Fyzika (B1701)
Obor studia:
Fyzika zaměřená na vzdělávání (FMUZV)
Přidělovaný titul:
Bc.
Datum obhajoby:
10. 9. 2019
Výsledek obhajoby:
Výborně
Jazyk práce:
Čeština
Klíčová slova:
epitaxní grafén, SiC, vodík
Klíčová slova v angličtině:
epitaxial graphene, SiC, hydrogen
Abstrakt:
Abstrakt Tato práce je zaměřena na přípravu grafenu pomocí epitaxního růstu na křemíkové straně karbidu křemíku. Její úvod je věnován stručnému popisu zajímavých vlastností grafenu a jeho možnému využití. Následně jsou uvedeny metody přípravy se zaměřením na epitaxní růst a vliv vodíku na samotný proces. Dále jsou představeny různé způsoby měření vzorku grafenu a podrobněji rozebrány tři z nich - Ramanova spektroskopie, mikroskopie atomárních sil a měření Hallova jevu. Samotný experiment se zaměřuje na to, jaký vliv má atmosféra složená z argonu a vodíku na růst grafenu. 1
Abstract v angličtině:
Abstract This work is focused on preparation of graphene by epitaxial growth on silicon face of silicon carbide. In the introduction, the interesting properties of graphene are briefly described, and its possible applications are mentioned. Subsequently, the methods of preparation are discussed with an emphasis on epitaxial growth and the role of hydrogen on the process itself. Further, the possible ways of measuring graphene samples are explained and three of them are analyzed in more detail - Raman spectroscopy, atomic force microscopy, and Hall effect measurement. The experiment itself is focused on the effect of argon-hydrogen atmosphere on the growth of graphene. 1
Dokumenty
Stáhnout Dokument Autor Typ Velikost
Stáhnout Text práce Bc. Petr Sýkora 13.19 MB
Stáhnout Abstrakt v českém jazyce Bc. Petr Sýkora 28 kB
Stáhnout Abstrakt anglicky Bc. Petr Sýkora 28 kB
Stáhnout Posudek vedoucího Mgr. Jan Kunc, Ph.D. 105 kB
Stáhnout Posudek oponenta doc. Ing. Jan Čechal, Ph.D. 75 kB
Stáhnout Záznam o průběhu obhajoby doc. RNDr. Leoš Dvořák, CSc. 153 kB