velikost textu

Structure defects in SiC radiation detectors

Upozornění: Informace získané z popisných dat či souborů uložených v Repozitáři závěrečných prací nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora.
Název:
Structure defects in SiC radiation detectors
Název v češtině:
Strukturní defekty v SiC detektorech
Typ:
Diplomová práce
Autor:
Bc. Matyáš Zetek
Vedoucí:
doc. Ing. Eduard Belas, CSc.
Oponent:
prof. Pavel Hazdra, CSc.
Konzultant:
doc. RNDr. Roman Grill, CSc.
Id práce:
177475
Fakulta:
Matematicko-fyzikální fakulta (MFF)
Pracoviště:
Fyzikální ústav UK (32-FUUK)
Program studia:
Fyzika (N1701)
Obor studia:
Optika a optoelektronika (FOOE)
Přidělovaný titul:
Mgr.
Datum obhajoby:
19. 6. 2019
Výsledek obhajoby:
Výborně
Jazyk práce:
Angličtina
Klíčová slova:
SiC, defekty, žíhání, Hallův jev, Fotoluminiscence, Transientní proudy
Klíčová slova v angličtině:
SiC, Defects, Annealing, Hall effect, Photoluminescence, Transient currents
Abstrakt:
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
Abstract v angličtině:
Silicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. In this thesis, we are broadening elementary knowledge about this material. We identify energy levels in the material, using Photo-Hall effect spectroscopy supported by the temperature dependency of classic Hall effect measurement and temperature dependent photoluminescence. This knowledge is essential to allow SiC application as a radiation detector.
Dokumenty
Stáhnout Dokument Autor Typ Velikost
Stáhnout Text práce Bc. Matyáš Zetek 5.71 MB
Stáhnout Abstrakt v českém jazyce Bc. Matyáš Zetek 44 kB
Stáhnout Abstrakt anglicky Bc. Matyáš Zetek 31 kB
Stáhnout Posudek vedoucího doc. Ing. Eduard Belas, CSc. 84 kB
Stáhnout Posudek oponenta prof. Pavel Hazdra, CSc. 176 kB
Stáhnout Záznam o průběhu obhajoby prof. RNDr. Pavel Höschl, DrSc. 153 kB