velikost textu
Výsledky projektu Studium dislokací v relaxovaných heteroepitaxních vrstvách GaN metodami RTG rozptylu
Výsledky
  Typ výsledku
Autor celku
Název celku(Celkem 3 zázn.)
|
|---|
| Barchuk, Mykhailo. Diffuse x-ray scattering from stacking faults in a-plane GaN epitaxial layers. PHYSICAL REVIEW B, 2011, sv. 84, s. 1–8. ISSN 1550-235X. IF 3.772. [Článek v časopise] PRB článek 2011 |
| Barchuk Mykhailo, Holý Václav et al.. X-ray diffuse scattering from threading dislocations in epitaxial GaN layers. Journal of Applied Physics, 2010, sv. 108, s. 43521–43521. ISSN 1089-7550. IF 2.072. [Článek v časopise] |
| Barchuk Mykhailo, Holý Václav et al., Název článku - Grazing-incidence x-ray diffraction from GaN epitaxial layers with threading dislocations; Plný název časopisu - Applied Physics Letters; Status - accepted; ISSN - 1077-3118; Impaktní faktor - 3.554. [Jiný výsledek] |