Polovodičové materiály a elektronické prvky pro optoelektronické aplikace v infračervené, viditelné, rtg a gama
oblasti spektra. Růst monokrystalů, zpracování podložek, příprava elektronických struktur. Charakterizační
techniky. Vakuová technika. Aplikace (zdroje osvětlení, detektory záření, solární články, speciální optoelektronika).
Poslední úprava: Kopecký Vladimír, RNDr., Ph.D. (21.09.2021)
Semiconductor materials and electronic devices for optoelectronic applications in the infrared, visible, X-ray and
gamma regions of the spectrum. Growth of single crystals, wafer processing, preparation of electronic structures.
Characterization techniques. Vacuum technology. Applications (light sources, radiation detectors, solar cells,
special optoelectronics).
Poslední úprava: Kopecký Vladimír, RNDr., Ph.D. (21.09.2021)
Cíl předmětu -
Přednáška je vhodná pro studenty všech stupňů studia (bakalářské, magisterské, doktorské), také pro Erasmus studenty. Studenti budou seznámeni s vlastnostmi jednotlivých polovodičů, technologií přípravy polovodičů, s charakterizačními technikami a současnými aplikacemi. Učebna a čas přednášky bude zafixován na počátku semestru po konzultaci se zapsanými studenty.
Poslední úprava: Kopecký Vladimír, RNDr., Ph.D. (27.05.2026)
The course is suitable for students of all levels of study (bachelor's, master's, doctoral), as well as for Erasmus students. Students will learn about the properties of individual semiconductors, semiconductor preparation technologies, characterisation techniques and current applications. The classroom and lecture time will be set at the beginning of the semester after consultation with the enrolled students.
Poslední úprava: Kopecký Vladimír, RNDr., Ph.D. (27.05.2026)
Podmínky zakončení předmětu -
Ústní zkouška
Poslední úprava: Belas Eduard, prof. Ing., CSc. (20.09.2021)
Oral examination
Poslední úprava: Belas Eduard, prof. Ing., CSc. (20.09.2021)
Literatura -
H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL Praha 1990
D. K. Schroder: Semiconductor Material and Device Characterization, Wiley-IEEE Press, ISBN 978-0-471-73906-7
P. Capper: Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials, ed. P. Capper, Wiley 2005, ISBN 0-470-85142-2
P. Rudolph: Handbook of Crystal Growth, ed. P. Rudolph, 2nd edition, Elsevier 2015, ISBN 978-0-444-63303-3, DOI: https://doi.org/10.1016/C2013-0-09791-5
Suitable papers in scientific journals
Poslední úprava: Kopecký Vladimír, RNDr., Ph.D. (27.05.2026)
H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL Praha 1990
D. K. Schroder: Semiconductor Material and Device Characterization, Wiley-IEEE Press, ISBN 978-0-471-73906-7
P. Capper: Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials, ed. P. Capper, Wiley 2005, ISBN 0-470-85142-2
P. Rudolph: Handbook of Crystal Growth, ed. P. Rudolph, 2nd edition, Elsevier 2015, ISBN 978-0-444-63303-3, DOI: https://doi.org/10.1016/C2013-0-09791-5
Suitable papers in scientific journals
Poslední úprava: Kopecký Vladimír, RNDr., Ph.D. (27.05.2026)
Kontroly studia předmětu a podmínky pro jejich úspěšné vykonání, způsob hodnocení -
Požadavky k ústní zkoušce odpovídají sylabu předmětu v rozsahu, který byl prezentován na přednášce. Student dostane celkem dvě otázky, jednu z polovodičových materiálů, technologie růstu polovodičů a přípravy waferů, druhou z charakterizačních technik, vakuové techniky a aplikací.
Poslední úprava: Kopecký Vladimír, RNDr., Ph.D. (27.05.2026)
The requirements for the oral exam correspond to the course syllabus in the scope presented in the lecture. The student will receive a total of two questions, one from semiconductor materials, semiconductor growth technology and wafer preparation, the other from characterisation techniques, vacuum techniques and applications.
Poslední úprava: Kopecký Vladimír, RNDr., Ph.D. (27.05.2026)
Sylabus -
A) Materiály
Úzkozónové a širokozónové polovodiče pro součástky do infračervené, viditelné, rtg a gama oblasti spektra (Si, Ge, GaAs, CdTe/CdZnTe, obecně polovodiče skupiny IV, III-V, II-VI, IV-VI)
Poslední úprava: Kopecký Vladimír, RNDr., Ph.D. (27.05.2026)
A) Materials
Semiconductor band structure and related properties
Narrow and wide bandgap materials for infrared, visible, x-ray and gamma ray applications (Si, Ge, GaAs, CdTe/CdZnTe, SiC, GaN, perovskites. Generally, semiconductors from group IV, III-V, II-VI, II-IV).
Non-semiconductor materials: sapphire, fullerenes
Single crystal preparation
Crystal growth from the melt, liquid phase epitaxy (LPE), vapour phase epitaxy (VPE), molecular beam epitaxy (MOCVD, MBE)
