Optoelectronics - NFPL022
|
|
|
||
Last update: T_KMF (18.05.2001)
|
|
||
Last update: RNDr. Pavel Zakouřil, Ph.D. (05.08.2002)
Wilson J., Hawkes J.F.B. : Optoelectronics. An Introduction. Prentice Hall. 1983
Nosov J.R. : Optoelektronika. Radio i svjaz. 1989
Toušek J. : Polovodičové prvky III. UK. Praha 1983 |
|
||
Last update: ()
Ideální charakteristika přechodu P-N. Reálná charakteristika přechodu P-N v propustném a závěrném směru (typy průrazu). 2. Schottkyho kontakt. Schottkyho efekt, základní přístupy k transportu nábojů (volt-ampérová charakteristika a kapacita Schottkyho diod). 3. Struktura MIS. Kapacita ideální a reálné struktury MIS. 4. Heterogenní přechody. Isotypové a anisotypové HP, pásové HP, pásové diagramy, transport náboje, dvourozměrný elektronový plyn, superstruktury. 5. Fotovoltaické jevy. Přechod P-N ozářený rovnoběžně a kolmo k rovině přechodu, ozářený Schottkyho kontakt. Solární cely. 6. Polovodičové zdroje optického záření. Elektroluminiscenční vrstvy, luminiscenční diody: materiály, účinnost setrvačnost. Polovodičové lasery: spektrální charakteristika, optická zpětná vazba, výpočet základních parametrů, konstrukce. Heterogenní lasery, lasery pro optické komunikace, degradace. 7. Polovodičové detektory. Charakteristické parametry, parametry ovlivňující detektivitu. metody detekce záření, fotoodpory (poměr signál-šum, druhy fotoodporů), fotodiody a diody PIN, lavinové fotodiody (poměr signál-šum, režim činnosti, setrvačnsot), Schottkyho dioda, fototranzistor, využití struktur s proměnnou šířkou zakázaného pásu a supermřížek pro detekci záření. Optrony. 8. Polovodičové snímací elektronky. Vidikon, plumbikon, amorní křemík, struktury CCD s přenosem náboje, detektor SPRITE. |