|
|
|
||
|
Geometric and electronic structure of solid states - base information. Methods and principles of solid state research. Work function. Surface electronics effects. Bulk electronics behaviour of solid states. Interface between two solid states. Semiconductor devices.
Last update: T_KEVF (16.05.2002)
|
|
||
|
L. Eckertová a kol.: Fyzikální elektronika pevných látek, Karolinum, Praha 1992 Last update: Zakouřil Pavel, RNDr., Ph.D. (05.08.2002)
|
|
||
|
1) Význam struktury PL pro jejich elektronické vlastnosti. Modifikace struktury při přechodu k povrchu a z ní vyplývající změny vlastností, reálný povrch. Zvláštnosti struktury tenkých vrstev (spojitých a nespojitých) a z toho vyplývající elektronické vlastnosti, rozměrové jevy, ostrůvkovité vrstvy.
2) Výstupní práce průměrná a lokální, definice, význam. Principy metod jejího měření.
3) Povrchové elektronické jevy. Emise elektronů - termoemise, fotoemise, sekundární emise, tunelová emise - fyzikální základy a hlavní aplikace. Emise neutrálních částic a iontů.
4) Objemové elektronické vlastnosti PL: vodivost, její závislost na teplotě, osvětlení, elektrickém a magnetickém poli atd. Aplikace v elektronických prvcích (termistory, fotoodpory, Hallovy sondy atd.).
5) Rozhraní dvou PL, kontaktní jevy. Rozhraní kov-kov, kov-polovodič, polovodič-polovodič (P-N přechod), kov-dielektrikum, polovodič-dielektrikum. Rovnovážný stav a procesy při průchodu proudu, rovnovážné koncentrace a vstřikování. Rekombinace přímá a nepřímá.
6)Principy elektronických prvků, zejména polovodičových. Zásady integrace. Optoelektronické prvky a principy integrované optiky. Last update: T_KEVF (16.05.2002)
|