1. Seznámení se s metodou měření a ovládáním difraktometru
2. Měření royložení difraktoané intenzity v reciprokém prostoru relaxovaných epitaxních vrstev Ge/Si
3. Vyhodnocení naměřených dat a stanovení stupně plastické relaxace
References
V. Holý, U. Pietsch and T. Baumbach, High-Resolution X-Ray Scattering From Thin Films and Multilayers, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York 1999.
Preliminary scope of work
Překročí-li rozdíl mřížkových parametrů epitaxní vrstvy a substrátu jistou kritickou hodnotu, vznikají při epitaxním růstu na rozhraní substrát-vrstva dislokace a dochází k plastické relaxaci vrstvy. Cílem práce je určení mřížkových parametrů vrstvy ve směru rovnoběžném s rozhraním a kolmo na rozhraní. Pomocí difraktometru s vysokým rozlišením se naměří dvojrozměrné rozložení difraktované intenzity v reciproké rovině v okolí symetrického a asymetrického uzlu reciproké mřížky. Relativní rozdíly mřížkových parametrů lze stanovit z polohy maxima od vrstvy relativně k substrátovému maximu. Pro měření se použi-je nový difraktometr PANalytical s vysokým rozlišením
Preliminary scope of work in English
If the difference in the lattice parameters of a single-crystalline epitaxial layer deposited on a single crystalline substrate exceeds a critical value, misfit dislocations at the substrate-layer interface appear during the layer growth, which leads to a plastic relaxation of the layer. The aim of the work is to determine the lattice parameters of an epitaxial layer in directions pa-rallel and perpendicular to the interface. For this purpose, a two-dimensional reciprocal-space distribution of diffracted x-ray intensity will be measured, using a high-resolution diff-ractometer in the x-ray lab of the Department of electronic structures. The lattice parameters can be determined from the position of the layer maximum in reciprocal space relatively to the maximum of the substrate.
