Magnetooptické vlastnosti polovodičových kvantových struktur
| Thesis title in Czech: | Magnetooptické vlastnosti polovodičových kvantových struktur |
|---|---|
| Thesis title in English: | Magnetooptical properties of semiconductor quantum structures |
| Academic year of topic announcement: | 2007/2008 |
| Thesis type: | diploma thesis |
| Thesis language: | angličtina |
| Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
| Supervisor: | prof. RNDr. Roman Grill, CSc. |
| Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
| Date of registration: | 01.11.2007 |
| Date of assignment: | 01.11.2007 |
| Date and time of defence: | 22.09.2009 00:00 |
| Date of electronic submission: | 22.09.2009 |
| Date of proceeded defence: | 22.09.2009 |
| Opponents: | Mgr. Nataliya Goncharuk, Ph.D. |
| Advisors: | Ing. Ludvík Smrčka, DrSc. |
| Guidelines |
| 1) Prostudovat základní literaturu týkající se optických přechodů v dvojrozměrných kvantových strukturách umístěných v elektrickém a magnetickém poli.
2) Navrhnout vhodný formalizmus pro popis vlnové funkce elektronu a excitonu ve dvojité kvantové jámě v obecně orientovaném magnetickém poli a v elektrickém poli orientovaném kolmo na jámu. 3) Odvodit hamiltonián systému se započtením realistické struktury valenčního pásu. 4) Navrhnout postup řešení a vyřešit Schrödingerovu rovnici. 5) Spočítat optické vlastnosti systému na bázi materiálu GaAs/GaAlAs. 6) Vyhodnotit získané výsledky, porovnat je s existujícími experimentálními daty a navrhnout optimální strukturu pro experimentální ověření teoreticky předpovězených jevů. |
| References |
| Vybrané kapitoly z:
1) H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL, Praha 1990 2) B. E. A. Saleh, M. C. Teich: Základy fotoniky, matfyzpress 1994 3) G. Bastard: Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures, Les editions de physique, Paris 1992 4) J.H. Davies: The Physics of Low-Dimensional Semiconductors, Cambridge University Press, 1998 5) Původní časopisecké články týkající se problematiky optických vlastností kvantových struktur |
| Preliminary scope of work |
| Současný pokrok v technologii přípravy kvalitních polovodičových kvantových struktur umožňuje realizovat systémy s novými unikátními vlastnostmi i s jejich perspektivním použitím v praktických aplikacích. Pro použití v optoelektronice mají bezprostřední význam optické vlastnosti takových struktur. Vzhledem k náročnosti přípravy kvantové struktury je nutné a ekonomicky výhodné předem co nejspolehlivěji odhadnout optimální parametry struktury s cílem splnění zadaných požadavků kladených na strukturu nebo optimalizace pozorování očekávaného jevu.
Hlavní náplní práce bude výpočet luminiscence dvojité kvantové jámy v systému GaAs/AlGaAs umístěné v magnetickém a elektrickém poli orientovaném kolmo a v rovině jámy. Budou analyzovány různé modely popisující řešený systém s cílem navrhnout realistický model poskytující uspokojivé výsledky bez nutnosti extrémně náročných numerických výpočtů. Získané výsledky budou porovnány s dostupnými experimentálními daty a bude navržena struktura a experimentální uspořádání umožňující optimálně pozorovat spočtené jevy. Práce je vhodná pro studenty všech oborů s pozitivnim přístupem k teoretické fyzice pevných látek |