Structure defects in SiC radiation detectors
| Thesis title in Czech: | Strukturní defekty v SiC detektorech |
|---|---|
| Thesis title in English: | Structure defects in SiC radiation detectors |
| Key words: | SiC, defekty, žíhání, Hallův jev, Fotoluminiscence, Transientní proudy |
| English key words: | SiC, Defects, Annealing, Hall effect, Photoluminescence, Transient currents |
| Academic year of topic announcement: | 2018/2019 |
| Thesis type: | rigorosum thesis |
| Thesis language: | angličtina |
| Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
| Supervisor: | doc. Ing. Eduard Belas, CSc. |
| Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
| Date of registration: | 30.07.2019 |
| Date of assignment: | 30.07.2019 |
| Confirmed by Study dept. on: | 30.07.2019 |
| Date and time of defence: | 26.11.2019 00:00 |
| Date of electronic submission: | 01.08.2019 |
| Date of submission of printed version: | 01.08.2019 |
| Date of proceeded defence: | 26.11.2019 |
| Guidelines |
| OEM
1. Seznámit se se strukturou defektů v SiC detektorech. 2. Seznámit se s přípravou detektorů a s aparaturami na měření jejich elektrických, optických a spektroskopických vlastností. 3. Seznámit se s aparaturou na žíhání vzorků. 4. Provést charakterizaci detektorů pomocí jednotlivých metod v teplotním intervalu 77-300K a 300K-500K. 5. Provést žíhání detektorů. 6. Porovnat vlastnosti detektorů před a po žíhání. 7. Vyhodnotit vliv žíhání na strukturu defektů a na kvalitu připravených SiC detektorů. |
| References |
| 1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2 3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2 4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7 5. Odborné články týkající se dané problematiky |
| Preliminary scope of work |
| Polovodivé materiály na bázi SiC představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření nebo jako podložka pro epitaxní růst vrstev grafenu. Pro přípravu materiálu s vysokou efektivitou sběru náboje je zásadní identifikace strukturních defektů a jejich komplexů, které působí jako rekombinační případně pasťová centra v detektoru. Cílem práce bude nalezení způsobu žíhání, které povede k snížení koncentrace defektů a zároveň ke zvýšení detekčních vlastností žíhaných detektorů. Výsledky budou použity k optimalizaci podmínek přípravu SiC detektorů.
Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán. |