Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC
Thesis title in Czech: | Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC |
---|---|
Thesis title in English: | Role of hydrogen during growth of epitaxial graphene on SiC |
Key words: | epitaxní grafén, SiC, vodík |
English key words: | epitaxial graphene, SiC, hydrogen |
Academic year of topic announcement: | 2017/2018 |
Thesis type: | Bachelor's thesis |
Thesis language: | čeština |
Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
Supervisor: | doc. RNDr. Jan Kunc, Ph.D. |
Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
Date of registration: | 16.10.2017 |
Date of assignment: | 16.10.2017 |
Confirmed by Study dept. on: | 12.12.2018 |
Date and time of defence: | 10.09.2019 09:00 |
Date of electronic submission: | 18.07.2019 |
Date of submission of printed version: | 18.07.2019 |
Date of proceeded defence: | 10.09.2019 |
Opponents: | doc. Ing. Jan Čechal, Ph.D. |
Guidelines |
Student provede experimentální studium růstu epitaxního grafénu na karbidu křemíku se zaměřením na vliv vodíku. V úvodu práce bude provedena rešerše dosavadních prací zabývajícími se interkalováním grafénu ve vodíku. Experimentální část se bude skládat z přípravy vzorků grafénu v různých směsích argonu a vodíku. Vedle samotné přípravy vzorků proběhne jejich charakterizace metodami Ramanovy spektroskopie, mikroskopie atomárních sil a měření Hallova jevu. |
References |
[1] S. Forti, K. V. Emtsev, C. Coletti, A. A. Zakharov, C. Riedl, U. Starke, Phys. Rev. B 84, 125449 (2011)
[2] B. Tsuchiya, N. Matsunami, S. Bandow, S. Nagata, Diamond and Related Materials 65, 1-4 (2016) [3] C. Yu, Q. Liu, J. Li, W. Lu, Z. He, S. Cai, Z. Feng, Appl. Phys. Lett. 105, 183105 (2014) [4] M. S. Janson, A. Hallén, M. K. Linnarsson, B. G. Svensson, Phys. Rev. B 64, 195202 (2001) |