Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů

• Thesis title in Czech: Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
• Thesis title in English: Electrical and optical properties of SiC single crystals
• Key words: SiC, detektory záření, kontakt kov-polovodič, V-A charakteristiky, Ramanova spektroskopie
• English key words: SiC, radiation detectors, metal-semiconductor contacts, V-A characteristics, Raman spectroscopy
• Academic year of topic announcement: 2017/2018
• Thesis type: diploma thesis
• Thesis language: čeština
• Department: Institute of Physics of Charles University (32-FUUK)
• Supervisor: doc. Ing. Eduard Belas, CSc.
• Author: hidden - assigned and confirmed by the Study Dept.
• Date of registration: 16.02.2018
• Date of assignment: 19.02.2018
• Confirmed by Study dept. on: 04.10.2018
• Date and time of defence: 15.09.2020 09:00
• Date of electronic submission: 30.07.2020
• Date of submission of printed version: 30.07.2020
• Date of proceeded defence: 15.09.2020
• Opponents: doc. Ing. Ivan Štekl, CSc.
• Advisors: doc. RNDr. Jan Kunc, Ph.D.

Guidelines

OEM
1. Seznámit se se strukturou defektů v SiC polovodičích.
2. Seznámit se s přípravou vzorků SiC a s aparaturami na charakterizaci jejich elektrických a optických vlastností.
3. Provést měření elektrických a optických vlastností SiC vzorků.
4. Provést měření transportních vlastností připravených SiC vzorků pomocí metody Transient Current Technique.
5. Provést srovnání jednotlivých vlastnosti na vzorcích připravených různými metodami.

References

1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2
3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2
4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7
5. Odborné články týkající se dané problematiky

Preliminary scope of work

Polovodivé materiály na bázi SiC představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření a rovněž jako podložka pro epitaxní růst. Cílem práce bude studium elektrických, optických a transportních vlastností SiC vzorků a určení vlivu materiálu a pripravených kontaktů na finální kvalitu vzorků. Dalším cílem práce bude úprava stávající aparatury na měření transientních proudů pro měření polovodičů s širokým zakázaným pásem. Výsledky budou použity k optimalizaci podmínek přípravu kvalitních detektorů.
Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán.