Studium vlastností InGaN/GaN vícenásobných kvantových jam pomocí mikro-luminiscence a mikro-Ramanova rozptylu

• Thesis title in Czech: Studium vlastností InGaN/GaN vícenásobných kvantových jam pomocí mikro-luminiscence a mikro-Ramanova rozptylu
• Thesis title in English: Micro-luminescence and micro-Raman scattering study of InGaN/GaN multiple quantum wells
• Key words: nitridové heterostruktury, luminiscence, Ramanův rozptyl, MOVPE
• English key words: nitride heterostructures, luminescence, Raman scaterring, MOVPE
• Academic year of topic announcement: 2016/2017
• Thesis type: Bachelor's thesis
• Thesis language: čeština
• Department: Institute of Physics of Charles University (32-FUUK)
• Supervisor: RNDr. Eva Kočišová, Ph.D.
• Author: hidden - assigned and confirmed by the Study Dept.
• Date of registration: 31.10.2016
• Date of assignment: 03.11.2016
• Confirmed by Study dept. on: 10.01.2017
• Date and time of defence: 25.06.2019 09:00
• Date of electronic submission: 17.05.2019
• Date of submission of printed version: 17.05.2019
• Date of proceeded defence: 25.06.2019
• Opponents: doc. Ing. Petr Praus, CSc.
• Advisors: Dr. Ing. Karla Kuldová

Guidelines

1) Seznámení se se základními vlastnostmi nitridových heterostruktur, technologií jejich přípravy a základními metodami jejich charakterizace.
2) Osvojení si práce na spektrometru LabRAM HR Evolution a využití Ramanovy a luminiscenční mikrospektroskopie k charakterizaci InGaN/GaN vícenásobných kvantových jam připravených různým technologickým postupem.
3) Diskuse naměřených výsledků v souvislosti s předpokládaným využitím studovaných struktur jako rychlých scintilačních detektorů.

References

[1] Pelant, I., Valenta, J., Luminiscenční spektroskopie I., 1. vydání Academia: Praha, 2006.
[2] Pelant, I., Valenta, J., Luminiscenční spektroskopie II., 1. vydání Academia: Praha, 2010.
[3] Morkoc, H., Nitride Semiconductors and Devices, Springer Series in Materials Science, 1999
[4] Hiroshi Harima, Properties of GaN and related compounds studied by means of Raman scattering, A Review, J. Phys.: Condens. Matter 14 (2002) R967
[5] Soubor vybraných původních prací.

Preliminary scope of work

Gallium nitrid (GaN), aluminium nitrid (AlN), indium nitrid (InN) a jejich ternární a kvaternární kombinace jsou v současnosti považovány hned po křemíku za nejdůležitější polovodiče. Mají široké uplatnění, známé je využití v barevných displejích, LED osvětlení, využívány jsou i v jaderných elektrárnách nebo v kosmu, protože jsou odolné proti kosmickému záření, významné jsou i výkonné vysokofrekvenční aplikace pro civilní i vojenské účely.
Tato bakalářská práce je zaměřena na studium vlastností nitridových heterostruktur připravovaných ve Fyzikálním ústavu AV ČR pro jejich použití jako rychlé scintilátory v medicínských diagnostických přístrojích nebo v rychlých skenovacích elektronových mikroskopech. Jedná se o novou aplikaci, jejíž vývoj v současnosti ve světě teprve začíná.