Studium pohyblivosti atomů kovů na povrchu Si(100)2×1 pomocí STM
| Thesis title in Czech: | Studium pohyblivosti atomů kovů na povrchu Si(100)2×1 pomocí STM |
|---|---|
| Thesis title in English: | Study of mobility of metal atoms on the Si(100)2×1 surface using STM |
| Academic year of topic announcement: | 2009/2010 |
| Thesis type: | Bachelor's thesis |
| Thesis language: | čeština |
| Department: | Department of Surface and Plasma Science (32-KFPP) |
| Supervisor: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
| Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
| Date of registration: | 06.11.2009 |
| Date of assignment: | 06.11.2009 |
| Date and time of defence: | 14.09.2010 00:00 |
| Date of electronic submission: | 14.09.2010 |
| Date of proceeded defence: | 14.09.2010 |
| Opponents: | Mgr. Jan Pudl |
| Guidelines |
| - Seznámení se s technikou STM a růstovým experimentem.
- Nalezení optimálního rozsahu teplot pro sledování povrchových přeskoků atomu vybraného kovu (In, Ga, Al, Sn) pomocí STM. - Časový záznam přeskoků jednotlivých atomů při alespoň dvou různých teplotách. - Analýza časových řad získaných naměřením historie přeskoků jednotlivých atomů. - Stanovení parametrů povrchové "difúze." |
| References |
| [1] Bai Ch., Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf. Sci. 32, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, N.Y., 1992.
[2] Chen C. J., Introduction to Scanning Tunneling Microscopy, Oxford University Press, New York, 2008. [3] Články v odborných časopisech doporučené vedoucím práce. |
| Preliminary scope of work |
| Růst uspořádaných nanostruktur kovů na anizotropním povrchu křemíku (100) s rekonstrukcí 2×1 je intenzivně studován jak z hlediska základního výzkumu tak pro jejich využití v oblasti nanotechnologií. Pohyblivost atomů kovu mezi adsorpčními pozicemi na povrchu křemíku během depozice - vakuového napařování pomocí atomárních svazků - je důležitá pro morfologii vytvářené struktury. Povrchová pohyblivost je tepelně aktivovaný proces, při pokojové teplotě však je četnost náhodných přeskoků atomů natolik velká, že je nelze pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) zaznamenat. Snížením teploty křemíkového substrátu je možno tento proces zpomalit natolik, že pomocí STM lze zaznamenat jednotlivé přeskoky a analýzou jejich záznamu získat jeho mikroskopické parametry, zejména energetické bariéry. Tyto parametry byly dosud získány teoretickými výpočty nebo nepřímo pomocí simulací, a to pouze pro několik případů (data jsou navíc dosti rozporuplná).
Předpokládané výsledky práce významně doplní znalosti o povrchové difúzi na Si(100)2×1 a jsou publikovatelné v některém z předních časopisů. Práce může být základem pro navazující diplomovou práci v rámci magisterského studia. http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=119 |
| Preliminary scope of work in English |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=119 |