Studium růstu nanostruktur kovů na Si(100)2×1 pomocí STM
| Thesis title in Czech: | Studium růstu nanostruktur kovů na Si(100)2×1 pomocí STM |
|---|---|
| Thesis title in English: | STM study of metal nanostructers growth on Si(100)2×1 surface |
| Academic year of topic announcement: | 2008/2009 |
| Thesis type: | Bachelor's thesis |
| Thesis language: | |
| Department: | Department of Surface and Plasma Science (32-KFPP) |
| Supervisor: | prof. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc. |
| Author: |
| Guidelines |
| 1) příprava vypařovadel pro depozici Al a Ga,
2) seznámení se s problematikou STM, podíl na přípravě experimentu 3) zobrazení povrchu s různým množstvím naneseného kovu při pokojové teplotě, pokus o měření během depozice, 4) vyhodnocení snímků z STM a stanovení základních charakteristik |
| References |
| [1] Bai Ch., Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci. 32, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, N.Y., 1992.
[2] Güntherodt H.-J. and Wiesendanger R., Scanning Tunneling Microscopy I (General Principles and Applications to Clean and Adsorbate Covered Surfaces), 2nd. ed., Springer Series in Surf. Sci. 20, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1994 [3] Články v odborných časopisech doporučené vedoucím práce. |
| Preliminary scope of work |
| http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/bak-abs.php?id=78
Dvourozměrné a jednorozměrné nanostruktury ? obsahující malý počet atomů ? se vyznačují kvantovými vlastnostmi, které z nich činí potenciální stavební prvky v mnoha aplikacích rozvíjejících se nanotechnologií. Studiu přípravy a vlastností nanoobjektů je ve fyzice povrchů a tenkých vrstev věnována velká pozornost. Práce se zabývá studiem adsorpce při depozici kovů na anizotropní povrch křemíku s orientací (100) a rekonstrukcí 2×1 a následným vznikem a růstem jednorozměrných (1D) ostrůvků ? atomárních řetízků kovu. Uvedené nanostruktury (kvantové dráty) mohou být stavebními prvky pro složitější systémy s potenciálním využitím v různých oblastech nanotechnologií. Rastrovací tunelová mikroskopie (STM) je technikou, která umožňuje studovat povrchové struktury a procesy s atomárním rozlišením přímo během nanášení kovu v podmínkách ultravakua. Práce vychází ze zkušeností získaných při studiu růstu Ag a In na povrchu Si(100) 2×1 a zabývá se úvodními experimenty pro další kovy: Al, Ga. |