Optické vlastnosti rezonančních tunelovacích diod
| Thesis title in Czech: | Optické vlastnosti rezonančních tunelovacích diod |
|---|---|
| Thesis title in English: | Optical properties of resonant tunnelling diodes |
| Academic year of topic announcement: | 2006/2007 |
| Thesis type: | diploma thesis |
| Thesis language: | čeština |
| Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
| Supervisor: | RNDr. Milan Orlita, Ph.D. |
| Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
| Date of registration: | 09.10.2006 |
| Date of assignment: | 09.10.2006 |
| Date and time of defence: | 23.09.2008 00:00 |
| Date of electronic submission: | 23.09.2008 |
| Date of proceeded defence: | 23.09.2008 |
| Opponents: | Ing. Jiří Oswald, CSc. |
| Guidelines |
| 1) Prostudovat základní literaturu týkající se optických vlastností dvojrozměrných kvantových struktur
2) Zvládnout práci v optické laboratoři a připravit experiment excitační fotoluminiscence 3) Změřit optické vlastnosti již existujících i nově připravených vzorků 4) Vyhodnotit naměřená spektra a interpretovat pozorované jevy |
| References |
| Vybrané kapitoly z:
1) H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL, Praha 1990 2) B. E. A. Saleh, M. C. Teich: Základy fotoniky, Matfyzpress, 1994 3) J. H. Davies: The Physics of Low-Dimensional Semiconductors, Cambridge University Press, 1998 4) Původní časopisecké články týkající se problematiky optických vlastností kvantových struktur |
| Preliminary scope of work |
| Hlavní náplní práce bude studium optických vlastností rezonančních tunelovacích diod (RTD) připravených metodou epitaxe z molekulárních svazků na bázi materiálů GaAs, GaMnAs, GaAlAs a InGaAs. Základní experimentální metodou bude nízkoteplotní fotoluminiscence doplněná o metodu excitační fotoluminiscence, v obou případech v magnetickém poli. Optická spektra budou sledována v závislosti na napětí přiloženém na struktury p-RTD-n a p-RTD-p pomocí selektivních elektrických kontaktů. Důraz při experimentální práci bude kladen především na efekty spojené s magnetickými vlastnostmi materiálu GaMnAs a jeho vlivem na RTD struktury. |