Luminiscenční mapování krystalů (Cd,Zn)Te
| Thesis title in Czech: | Luminiscenční mapování krystalů (Cd,Zn)Te |
|---|---|
| Thesis title in English: | Luminescence mapping of (cd,Zn)Te crystals |
| Academic year of topic announcement: | 2005/2006 |
| Thesis type: | diploma thesis |
| Thesis language: | |
| Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
| Supervisor: | doc. RNDr. Pavel Hlídek, CSc. |
| Author: |
| Guidelines |
| Úkoly:
1) Prostudovat základní literaturu o optických vlastnostech polovodičů. 2) Prostudovat vybranou časopiseckou literaturu o polovodivých materiálech CdTe a (Cd,Zn)Te. 3) Důkladně se seznámit s principy fourierovské spektroskopie a se spektrometrem IFS66s firmy Bruker. 4) Pro luminiscenční mapování využít aparaturu, jejíž hlavní součásti jsou spektrometr IFS66s a heliový průtokový kryostat Konti firmy CryoVac vybavený krokovými motory pro skenování vzorku. 5) Provést luminiscenční měření na několika vzorcích. 6) Převést soubory spekter zaznamenaných v mnoha bodech krystalu do přehledného tvaru dvourozměrných map. 7) Interpretovat výsledky měření v návaznosti na technologii pěstování krystalů. |
| References |
| B. Sapoval, C. Hermann, Physics of Semiconductors, Springer Verlag New York 1995
P.Y. Yu, M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Springer Verlag Berlin Heidelberg 1996. C.F. Klingshirn, Semiconductor Optics, Springer Verlag Berlin Heidelberg 1995. W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Weigel, G. Müller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz, Phys. Rev. B51, 10619 (1995). J. Lee, N.C. Giles, J. Appl. Phys. 78, 1191 (1995). M. Soltani, M. Certier, R. Evrard, E. Kartheuser, J. Appl. Phys. 78, 5626 (1995). R. Triboulet, A. Aoudia, A. Lusson, J. Electron. Mater. 24, 1061 (1995). K. Hjelt, M. Juvonen, T. Tuomi, S. Nenonen, E.E. Eissler, M. Bavdaz, phys. stat. sol. (a) 162, 747 (1997). H.-Y. Shin, C.-Y. Sun, Mater. Sci. Eng. B52, 78, (1998). A. Szczerbakov, J. Domagala, D. Rose, K. Durose, V.Yu. Ivanov, A.R. Omeltchouk, J. Crystal Growth 191, 673 (1998). J. Franc, P. Hlídek, P. Moravec, E. Belas, P. Höschl, L. Turjanska, R. Varghová, Semicond. Sci. Technol. 15, 561 (2000). G. Fonthal, L. Tirado-Mejía, J.I. Marín-Hurtado, H. Ariza-Calderón, J.G. Mendoza-Alvarez, J.Phys. Chem. Solids, 61, 579 (2000). |
| Preliminary scope of work |
| Monokrystalické destičky vybroušené z materiálu (Cd,Zn)Te jsou substráty pro epitaxní růst vrstev (Cd,Hg)Te, které jsou využívány pro přípravu matic infračervených detektorů pro termální zobrazovací systémy. Hlavními požadavky na tyto substráty jsou vysoký stupeň dokonalosti krystalové struktury, správná velikost mřížkové konstanty určovaná složením (koncentrací zinku), propustnost pro infračervené záření a dostatečná čistota (aby nedocházelo ke kontaminaci epitaxní vrstvy). Nízkoteplotní luminiscence je schopna poskytnout údaje o koncentraci zinku a částečně i informace o některých příměsích. Mapováním lze pak nejen vybrat oblasti krystalu splňující kriteria pro další technologické zpracování, ale též získat informace o způsobu tuhnutí taveniny při růstu krystalu, o tvaru a směru postupu rozhraní tavenina-pevná fáze i o interakci plynná fáze - kapalná fáze – pevná fáze při chladnutí, což jsou velmi důležité informace pro optimalizaci procesu přípravy krystalů.
Dalším velmi důležitým oborem aplikace materiálu (Cd,Zn)Te jsou detektory Roentgenova záření a gamma záření. I zde jsou informace o rozložení příměsí a defektů získané z luminiscenčních měření důležitým příspěvkem ke komplexnímu studiu těchto materiálů. |