Transport náboje v halogenidových polovodičích

• Thesis title in Czech: Transport náboje v halogenidových polovodičích
• Thesis title in English: Charge transport in halide semiconductors
• Key words: TlBr, perovskity, defekty, Transport náboje, Transientní proudy, V-A charakteristiky
• English key words: TlBr, Perovskites, Defects, Charge transport, Transient currents, I-V characteristics
• Academic year of topic announcement: 2020/2021
• Thesis type: dissertation
• Department: Institute of Physics of Charles University (32-FUUK)
• Supervisor: doc. Ing. Eduard Belas, CSc.
• Author: hidden - assigned and confirmed by the Study Dept.
• Date of registration: 23.09.2020
• Date of assignment: 23.09.2020
• Confirmed by Study dept. on: 30.09.2020
• Advisors: prof. RNDr. Roman Grill, CSc.

Guidelines

OEM
1. Seznámit se se strukturou defektů v halogenidových polovodičích.
2. Seznámit se s metodami charakterizace elektrických, optických a spektroskopických vlastností polovodičů.
3. Seznámit se s aparaturou na měření transportu náboje v polovodicích.
4. Provést charakterizaci TlBr a perovskitových vzorků pomocí jednotlivých metod v širokém teplotním intervalu.
5. Otestovat použití různých druhů elektrických kontaktů.
6. Provést měření elektromigrace defektů v TlBr a perovskitových vzorcích a vytvořit model popisující získané výsledky.

References

1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2
3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2
4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7
5. Odborné články týkající se dané problematiky

Preliminary scope of work

Halogenidové polovodiče se v poslední době objevily jako třída materiálů, které spojují vynikající optoelektronické vlastnosti se schopností je používat ve vysoce výkonných aplikacích (solární cely, detektory záření) na bázi objemových materiálů nebo tenkých filmů. Identifikace strukturních defektů a jejich komplexů je zásadní pro přípravu materiálu s vysokou účinností sběru náboje. Navrhovaná práce je zaměřena na výzkum transportu náboje v objemových krystalech a tenkých vrstvách halogenidových polovodičů. Vzorky budou charakterizovány řadou elektrických, optických a spektroskopických metod. Cílem práce je objasnit vnitřní strukturu defektů a najít optimální způsob přípravy halogenidového materiálu s nejvyšší účinností sběru náboje. Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán.

Preliminary scope of work in English

Halide semiconductors have recently emerged as a class of materials that unite outstanding optoelectronic properties with the ability to use them in the high performance aplications (solar cels, radiation detectors) based on bulk materials or thin films. Identification of structure defects and their complexes is crucial for preparation of material with high charge collection efficiency. The proposed work is focused on the research of charge transport in bulk crystals and thin layers of halide semiconductors. Samples will be characterized by a variety of electrical, optical and spectroscopic methods. The aim of the work is to clarify the internal structure of defects and to find the optimal method of halide material preparation with the highest charge collection efficiency. Interest in hiking, skiing and cycling is welcome.