Cílem projektu je proměřit V-A charakteristiky včetně určení odporu vzorku SiC se zlatými a grafénovými kontakty a provést měření fotovodivosti (fotoproudu) v závislosti na vlnové délce excitačního světla (obory UV, VIS a NIR) a diskutovat vzniklé jevy (fotopík, spektrální změny fotovodivosti). V případě nestability proudů bude nutné proměřit jejich časový vývoj. Zlaté kontakty budou naneseny pomocí napařování a grafénové pomocí teplotní dekompozice povrchu SiC v indukční peci na FÚUK.
References
[1] Dogan, S., Teke, A., Huang, D., Morkoç, H., Roberts, C. B., Parish, J., … Saddow, S. E. (2003). 4H-SiC photoconductive switching devices for use in high-power applications. Applied Physics Letters, 82(18), 3107–3109
[2] Siergiej, R ., Clarke, R. ., Sriram, S., Agarwal, a. ., Bojko, R. ., Morse, a. ., … Brandt, C. . (1999). Advances in SiC materials and devices: an industrial point of view. Materials Science and Engineering: B, 61–62, 9–17
[3] Kusdemir, E., Özkendir, D., Fırat, V., & Çelebi, C. (2015). Epitaxial graphene contact electrode for silicon carbide based ultraviolet photodetector. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(9), 95104
Preliminary scope of work
Karbid křemíku (SiC) je perspektivní polovodičový materiál pro elektroniku a optoelektroniku v jistých situacích nahrazující nejrozšířenější elektroniku křemíkovou. Jedná se především o provoz v extrémních podmínkách jako je vysoká teplota, velký elektrický proud, vysoké napětí a silný radiační tok. Hexagonální polytypy SiC 4H a 6H jsou vhodné pro epitaxní růst grafénu-dvoudimenzionálního uhlíku s unikátními fyzikálními vlastnostmi. SiC může sloužit dále jako světelný zdroj (LED-luminiscenční dioda) a je vhodným kandidátem pro substráty jednofotonových zdrojů, na kterých je založena kvantová kryptografie.
- assigned by the advisor