hidden - assigned and confirmed by the Study Dept.
Date of registration:
18.11.2010
Date of assignment:
18.11.2010
Date and time of defence:
23.09.2019 11:00
Date of electronic submission:
05.08.2019
Date of submission of printed version:
05.08.2019
Date of proceeded defence:
23.09.2019
Opponents:
Prof. RNDr. Josef Šikula, DrSc.
doc. RNDr. Jana Toušková, CSc.
Advisors:
prof. RNDr. Roman Grill, CSc.
Guidelines
Polovodičové krystaly na bázi CdTe představují významnou skupinu materiálů uplatňujících se při optoelektronických aplikacích jako detektory záření. Pro spolehlivou výrobu detektorů záření gama je nezbytné připravit vysoce kompenzovaný a odporový materiál s nízkou koncentrací hlubokých defektů. Z teoretického rozboru vyplývá, že tento požadavek lze splnit pouze žíháním vzorků při mírně zvýšených teplotách. Donedávna nebyl tento teplotní interval studován z důvodu nezvládnutí technologie přípravy vhodných kontaktů. Cílem práce je doplnit měření transportních charakteristik vzorků CdTe v oblasti teplot 300-600 K a nalézt vztah mezi různými podmínkami temperace a detektorovými vlastnostmi vzorku. Experimenty budou doplněny o měření optických vlastností (absorpce, fotovodivost a fotoluminiscence).