Structural defects in II-VI semiconductors
| Thesis title in Czech: | Strukturní defekty v II-VI polovodičích |
|---|---|
| Thesis title in English: | Structural defects in II-VI semiconductors |
| Key words: | CdTe/CdZnTe|defekty|žíhání|Hallův jev|difúze |
| English key words: | CdTe/CdZnTe|Defects|Annealing|Hall effect|Diffusion |
| Academic year of topic announcement: | 2012/2013 |
| Thesis type: | dissertation |
| Thesis language: | angličtina |
| Department: | Institute of Physics of Charles University (32-FUUK) |
| Supervisor: | doc. Ing. Eduard Belas, CSc. |
| Author: | hidden - assigned and confirmed by the Study Dept. |
| Date of registration: | 26.09.2012 |
| Date of assignment: | 26.09.2012 |
| Confirmed by Study dept. on: | 04.12.2012 |
| Date and time of defence: | 01.04.2022 09:30 |
| Date of electronic submission: | 28.02.2022 |
| Date of submission of printed version: | 01.03.2022 |
| Date of proceeded defence: | 01.04.2022 |
| Opponents: | prof. Ing. Eduard Hulicius, CSc. |
| Ing. Oldřich Schneeweiss, DrSc. | |
| Advisors: | prof. RNDr. Roman Grill, CSc. |
| Guidelines |
| 1. Seznámit se se strukturou defektů v II-VI polovodičích.
2. Seznámit se s přípravou vzorků a s aparaturami na měření elektrických, galvanomagnetických a optických vlastností vzorků. 3. Seznámit se s aparaturou na žíhání vzorků a s aparaturou na měření za vysokých teplot. 4. Provést žíhání vzorků. 5. Provést charakterizaci vzorků pomocí jednotlivých metod v teplotním intervalu 77-300K a 300K-1200K. 6. Porovnat vlastnosti vzorků před a po žíhání a porovnat s výsledky vysokoteplotních měření. 7. Vyhodnotit vliv teploty na strukturu defektů ve zkoumaných vzorcích. |
| References |
| 1. Diffusion in Solids, P.G.Shewmon, McGraw-Hill Series in Mater.Sci.Engin.,
2. Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic materials, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2005, edit. P.Capper. ISBN 0-470-85142-2 3. Fyzika a Technika Polovodičů, SNTL 1990, edit.H. Frank, ISBN 80-03-00401-2 4. Crystal Growth Technology, J.Wiley&Sons Ltd, The Atrium, Southern Gate, Chichester, England 2004, edit. H.J.Scheel, T.Fukuda. ISBN 0-471-49524-7 5. Odborné články týkající se dané problematiky |
| Preliminary scope of work |
| Polovodivé materiály na bázi CdTe představují významnou skupinu materiálů pro aplikaci v optoelektronice jako detektory záření, solární články, elektrooptické modulátory a rovněž jako podložka pro epitaxní růst polovodiče (HgCd)Te používaného pro detekci infračerveného záření. Pro přípravu materiálu s předem definovanými elektrickými a optickými vlastnostmi je zásadní identifikace jednotlivých strukturních defektů a jejich komplexů zejména ve vztahu k technologii růstu monokrystalu, případně k podmínkám žíhání. Cílem práce bude studium chování strukturních defektů při růstu krystalů nebo následně při jejich žíhání v parách teluru nebo kadmia. Výsledky budou použity k optimalizaci podmínek přípravu materiálu s nízkou koncentrací těchto defektů.
Zájem o vysokohorskou turistiku, lyžování a cyklistiku je vítán. |