Studium interakce atomů thallia s povrchem křemíku pomocí řádkovací tunelové mikroskopie (STM)

• Thesis title in Czech: Studium interakce atomů thallia s povrchem křemíku pomocí řádkovací tunelové mikroskopie (STM)
• Thesis title in English: Interactioni of atoms of Thallium with silicon surface studied by scanning tunneling microscopy (STM)
• Academic year of topic announcement: 2008/2009
• Thesis type: diploma thesis
• Department: Department of Surface and Plasma Science (32-KFPP)
• Supervisor: doc. RNDr. Pavel Kocán, Ph.D.

Guidelines

1) Seznámení se s metodou řádkovací tunelové mikroskopie
2) Pozorování změn povrchové struktury při ohřevu vzorku
3) Příprava rekonstrukce Si(111)1×1-Tl
4) Nalezení teploty, při které Tl desorbuje z povrchu, a pozorování změn povrchové struktury během desorpce

References

[1] Eckertová L.: Physics of Thin Films, Plenum Press, NY 1986.
[2] Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992.
[3] Ch.Kittel - Úvod do FPL, Academia 1985.
[4] Články v odborných časopisech podle doporučení vedoucího práce.

Preliminary scope of work

http://physics.mff.cuni.cz/kfpp/php/dipl-abs.php?id=615

Thallium je nejtěžším prvkem IIIA skupiny periodické tabulky, což se projevuje na chemických vlastnostech Tl jako tzv. relativistický efekt inertního páru elektronů (inert pair effect). Díky kterému se Tl vyskytuje nejen trivalentní jako ostatní kovy IIIA skupiny, ale také v monovalentní formě.

Je známo, že zahřátím povrchu s vrstvou Tl vzniká rekonstrukce 1×1, ve které se pravděpodobně Tl vyskytuje v monovalentní formě. Po desorpci Tl z 1×1 povrchu vzniká řada metastabilních rekonstrukcí čistého povrchu Si. Cílem vypsané práce je využití řádkovacího tunelového mikroskopu ke studiu interakce Tl s povrchem Si(111) na atomární úrovni a studium metastabilních rekonstrukcí vznikajících po desorpci thallia. Výsledky práce budou přímo publikovatelné v odborném tisku.